當(dāng)前位置：湖南艾克賽普測(cè)控科技有限公司>>技術(shù)文章展示
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2024
12-05超實(shí)用：預(yù)防和整改EMI的22個(gè)總結(jié)！
作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開(kāi)關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲)，主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾;而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。1MHz以內(nèi)以差模干擾為主，增大X電容就可解決。1MHz～5MHz差模共模混合，采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪2024
12-04EMC電磁兼容系統(tǒng)在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要性
電磁兼容性是指電子設(shè)備在正常工作狀態(tài)下，既能在不產(chǎn)生干擾的情況下與其他設(shè)備共同工作，又能在受到外部電磁干擾的情況下保持其正常功能的能力。在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)過(guò)程中，EMC電磁兼容系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和考慮是至關(guān)重要的，涉及到設(shè)備的性能、穩(wěn)定性、安全性及其與其他設(shè)備的互操作性。EMC電磁兼容系統(tǒng)在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要性，體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1、保障設(shè)備性能和穩(wěn)定性：許多電子設(shè)備，尤其是高精度設(shè)備對(duì)電磁干擾非常敏感。它能夠確保這些設(shè)備在受到干擾時(shí)，依然能夠正常工作，不會(huì)出現(xiàn)誤動(dòng)作、功能失效或者數(shù)據(jù)丟失等問(wèn)題。例如2024
12-042024
12-03R&S EMI測(cè)試接收器 用于高達(dá)30MHz的發(fā)射測(cè)量
R&SEPL1000是一款緊湊、完整且符合CISPR16-1-1標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量接收機(jī)，用于快速精確測(cè)量高達(dá)30MHz的EMI。自帶的頻譜分析儀和跟蹤信號(hào)發(fā)生器功能使R&SEPL1000成為各種實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用的理想選擇。羅德與施瓦茨（以下簡(jiǎn)稱“R&S公司”）展示了新的R&SEPL1000EMI測(cè)量接收機(jī)，用于可靠的認(rèn)證測(cè)量，同時(shí)大大減少測(cè)試時(shí)間。R&SEPL1000符合CISPR16-1-1標(biāo)準(zhǔn)，適用于認(rèn)證測(cè)量。當(dāng)用于預(yù)認(rèn)證時(shí)，該儀器還能減少預(yù)認(rèn)證測(cè)量的不確定性。非?？斓臅r(shí)域掃描讓R&SEPL1000可以2024
12-022024
11-29R&S展示寬帶DVB-S2X波束跳動(dòng)和DVB-RCS2傳輸技術(shù)
羅德與施瓦茨（以下簡(jiǎn)稱"R&S公司"）展示了寬帶1000MHzDVB-S2X軟件定義無(wú)線電（SDR）調(diào)制解調(diào)器ASIC，相當(dāng)于在一個(gè)共同的測(cè)試設(shè)置中，將8個(gè)VSAT調(diào)制解調(diào)器放在一個(gè)芯片上。同時(shí)R&S展示了端到端的測(cè)試基礎(chǔ)設(shè)施，其中包括R&SSMW200A矢量信號(hào)發(fā)生器和R&SFSW信號(hào)和頻譜分析儀，以及SatixFy的Sx3099調(diào)制解調(diào)器ASIC，演示DVB-S2XAnnexE寬頻帶波束跳變和高比特率DVB-RCS2傳輸。圖：用R&SFSW分析的DVB-S2X波束跳動(dòng)信號(hào)（左）和用R&SFS2024
11-282024
11-27再生能源與儲(chǔ)能系統(tǒng)整合的測(cè)試方案
各國(guó)綠電政策，以及電網(wǎng)穩(wěn)定度需求，再生能源與儲(chǔ)能相關(guān)技術(shù)將在未來(lái)十年蓬勃發(fā)展。根據(jù)彭博能源財(cái)經(jīng)(BNEF)評(píng)估，全球的儲(chǔ)能裝置于2030年底將達(dá)到358GW/1,028GWh高峰，為2020年底所統(tǒng)計(jì)容量和發(fā)電量的20倍以上。儲(chǔ)能應(yīng)用主要包括了與再生能源(太陽(yáng)能/風(fēng)力發(fā)電)并設(shè)之大型儲(chǔ)能系統(tǒng)，及住宅、商業(yè)與產(chǎn)業(yè)用的中小型系統(tǒng)，其中用于住宅及工、商業(yè)的儲(chǔ)能裝置發(fā)展最為熱絡(luò)。BNEF表示，中小型儲(chǔ)能裝置將占總儲(chǔ)能系統(tǒng)容量四分之一，未來(lái)將會(huì)全球普及。太陽(yáng)能與風(fēng)力發(fā)電皆會(huì)因氣象變化而無(wú)法穩(wěn)定供應(yīng)電力，利2024
11-26布魯克 紅外顯微鏡(IR)在半導(dǎo)體行業(yè)檢測(cè)應(yīng)用
電子設(shè)備在當(dāng)今的現(xiàn)代技術(shù)中非常普遍。每個(gè)人在使用電子設(shè)備時(shí)都可能間接遇到并使用過(guò)硅片。晶片是一種用于制造電子集成電路的薄半導(dǎo)體材料襯底。有各種類型的半導(dǎo)體材料，并且在電子器件中的半導(dǎo)體材料是硅（Si）。硅片是集成電路的重要組成部分。它是通過(guò)切割高純度、幾乎無(wú)缺陷的單晶硅棒制成的，用作制造晶圓內(nèi)部和表面微電子器件的襯底。硅片在生長(zhǎng)、切割、研磨、蝕刻和拋光過(guò)程中積累殘余應(yīng)力。因此，硅片在整個(gè)制造過(guò)程中可能會(huì)產(chǎn)生裂紋。如果沒(méi)有檢測(cè)到裂紋，那些含有裂紋的晶片將在隨后的生產(chǎn)階段產(chǎn)生無(wú)用的產(chǎn)品。當(dāng)將集成電路2024
11-25正確使用絕緣耐壓測(cè)試儀，檢測(cè)絕緣材料質(zhì)量
絕緣耐壓測(cè)試儀是一種用于測(cè)試電氣設(shè)備和電氣元件絕緣性能的設(shè)備，利用高壓直流電源(也有交流類型)產(chǎn)生高電壓，并加在被測(cè)設(shè)備絕緣表面，測(cè)量電氣設(shè)備的絕緣強(qiáng)度是否符合要求。其內(nèi)部通常由直流高壓發(fā)生器、調(diào)壓器、電壓表、電流表等部分組成。電源通過(guò)調(diào)壓器將電壓輸出，根據(jù)被測(cè)設(shè)備的要求設(shè)定好測(cè)試電壓和時(shí)間。測(cè)試時(shí)，將測(cè)試儀的高壓電極與被測(cè)試設(shè)備接觸，地電極接地，電源通電開(kāi)啟，設(shè)備表面的絕緣材料就會(huì)受到高壓的電場(chǎng)作用而發(fā)生局部放電，通過(guò)電流表和電壓表來(lái)測(cè)量被測(cè)設(shè)備的電流和電壓，判斷絕緣材料的質(zhì)量是否合格。操作使2024
11-25電能質(zhì)量(PQ)測(cè)量在當(dāng)今電力基礎(chǔ)設(shè)施中的重要性
一、當(dāng)今電力基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)電能質(zhì)量測(cè)量的需求由于發(fā)電模式以及能源消費(fèi)結(jié)構(gòu)不斷變化，電能質(zhì)量重新受到關(guān)注。不同電壓水平的可再生能源實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)，導(dǎo)致PQ相關(guān)的問(wèn)題增多。由于在電網(wǎng)的多個(gè)入口點(diǎn)增加了多種電壓水平的不同步負(fù)載，消費(fèi)模式也發(fā)生了廣泛的變化。例如，電動(dòng)汽車(EV)充電樁可能需要數(shù)百千瓦功率和大量數(shù)據(jù)中心及其相關(guān)設(shè)備，如供暖、通風(fēng)和空調(diào)。在工業(yè)應(yīng)用中，由變頻驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行的電弧爐、開(kāi)關(guān)變壓器等不僅會(huì)給電網(wǎng)增加許多不良諧波，而且會(huì)導(dǎo)致電壓突降、突升、瞬時(shí)掉電和閃爍。圖1.電能質(zhì)量問(wèn)題電力領(lǐng)域的電能質(zhì)量是2024
11-22多個(gè)頻率同時(shí)測(cè)試，TH2839+自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)降本增效
在磁性元件中，一種由非晶材料加工而成的磁性元件—非晶磁環(huán)，因其高磁導(dǎo)率、高電感量、抗干擾、安全性能強(qiáng)等優(yōu)異的性能，在各行各業(yè)中有著一定的優(yōu)勢(shì)。在汽車電子中，可滿足高頻開(kāi)關(guān)電源中各大中小功率的主變壓器、控制變壓器、濾波電感等在不同環(huán)境下的實(shí)際使用效果；在電源領(lǐng)域中，非晶磁環(huán)可以輸出儲(chǔ)能濾波電感，保證電流輸出的穩(wěn)定性；在電腦線路領(lǐng)域中，非晶磁環(huán)可以提高設(shè)備的使用性能和穩(wěn)定性。為了滿足非晶磁環(huán)在不同使用條件下的測(cè)試，有只對(duì)單個(gè)頻率有電感要求的，也有對(duì)多個(gè)不同頻率的電感要求，本次將對(duì)汽車電子中的非晶磁環(huán)2024
11-212024
11-202024
11-192024
11-18同惠 TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀讓新能源車充電效率更快
一、研究背景隨著我國(guó)加快實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”的目標(biāo)，電氣化替代已成為實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的關(guān)鍵。近年來(lái)新能源呈爆發(fā)式增長(zhǎng)，充電樁作為新能源汽車的基礎(chǔ)配套設(shè)備，其數(shù)量與質(zhì)量也是消費(fèi)者選擇電動(dòng)汽車的重要影響因素。當(dāng)前，MOSFET在國(guó)內(nèi)充電樁企業(yè)批量應(yīng)用，是新能源汽車充電樁的“心臟”。MOSFET即金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱MOS管，主要有三個(gè)引腳：漏極、源極和柵極，屬于絕緣柵型，其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻。二、為什么要測(cè)試MOSFET的好壞？在充2024
11-15如何降低功率組件發(fā)生絕緣質(zhì)量異常(局部放電)
一、功率組件普遍皆存在局部放電的議題，但您知道何謂局部放電(PartialDischarge)嗎?當(dāng)電壓施加在含有兩個(gè)以上絕緣材料的絕緣物體時(shí)，有一個(gè)絕緣材料發(fā)生放電且至少仍有一個(gè)絕緣材料維持正常的絕緣狀態(tài)，此放電現(xiàn)象稱之為局部放電。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)待測(cè)物的絕緣材料中存在異常氣隙，因?yàn)榭諝獾慕殡娤禂?shù)比絕緣材料低以及空氣的崩潰電壓比絕緣材料低，所以異常氣隙處會(huì)分到相對(duì)高比例的電壓且容易發(fā)生局部放電。因此，當(dāng)對(duì)待測(cè)物施加足夠的測(cè)試電壓時(shí)，可以利用局部放電偵測(cè)量測(cè)放電的電荷量(pC)，確認(rèn)待測(cè)物的絕緣材料2024
11-142024
11-13微型中低頻點(diǎn)聲源 Simcenter Qsources Q-IND2
一、體積聲源/Qsource憑借40多年來(lái)在振動(dòng)噪聲技術(shù)上的豐富經(jīng)驗(yàn)，西門子Simcenter工程咨詢團(tuán)隊(duì)打造了SimcenterQsources硬件家族，為用戶提供了創(chuàng)新型激勵(lì)設(shè)備。SimcenterQsources家族涵蓋了各種高級(jí)激勵(lì)硬件，主要分為結(jié)構(gòu)激勵(lì)設(shè)備（激振器）和聲學(xué)激勵(lì)設(shè)備（體積聲源），可實(shí)現(xiàn)硬件與SimcenterTestlab軟件的無(wú)縫結(jié)合。這種組合使得產(chǎn)品在效率、數(shù)據(jù)精度和客戶預(yù)期等方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出目前市場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn)。SimcenterQsources家族中的激振器主要有4個(gè)型號(hào)，2024
11-12掃一掃訪問(wèn)手機(jī)商鋪
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