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行業(yè)產(chǎn)品
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2021
03-242020
12-022020
07-242020
07-132020
05-112020
04-282020
04-282020
04-28快速退火爐系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過程中的關(guān)鍵裝備主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制作、生長高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展,開展快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研究,對(duì)國內(nèi)開發(fā)和研究具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的快速退火爐裝備,有著十分重要的理論意義和工程應(yīng)用價(jià)值。本文針對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝對(duì)快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)要求,在綜合分析國內(nèi)外各種快速退火爐系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)上,通過深入的分析研究,設(shè)計(jì)了系統(tǒng)總體技術(shù)方案。擬定采用燈光輻射型熱源裝置,上下兩排成正交的燈管組對(duì)位于其中2020
04-28探針臺(tái)精準(zhǔn)控制關(guān)鍵技術(shù)研究
集成電路自動(dòng)化裝備-探針臺(tái)是晶圓測(cè)試領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。由于晶圓片上晶粒很小,達(dá)到微米級(jí),所以要求探針臺(tái)要保持很高的定位精度和運(yùn)動(dòng)精度才能保證探針與晶粒的準(zhǔn)確對(duì)針和測(cè)試。因此,本文主要研究的問題是如何保證探針臺(tái)高精密控制,從而達(dá)到微米級(jí)定位要求。本文來自于國家02專項(xiàng)-面向12”晶圓片的全自動(dòng)探針臺(tái)關(guān)鍵技術(shù)研究。首先,本文介紹了探針臺(tái)兩大部分-LOADER和PROBER的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)流程;其次,本文重點(diǎn)對(duì)預(yù)對(duì)位、Z軸升降、XY平臺(tái)三個(gè)關(guān)鍵部件的精準(zhǔn)控制進(jìn)行研究,分析影響控制精度的多維度因素,并提出2020
04-172020
04-02基于真空探針臺(tái)的紅外焦平面自動(dòng)測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)研究
紅外熱成像技術(shù)由于自身各種優(yōu)勢(shì)在軍事領(lǐng)域和民用領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,因此備受各國重視,競(jìng)相發(fā)展相關(guān)技術(shù)。由于國外對(duì)紅外熱成像技術(shù)的研究比較早,而我國在紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域起步較晚,所以差距很大。近年來我國在紅外熱成像技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域取得了一些進(jìn)展,但很多方面還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于世界水平。因此,還需要加快紅外熱成像技術(shù)的研究。本課題以加快紅外熱成像技術(shù)的研究進(jìn)度、減小研究周期、提升研究效率,降低研究及生產(chǎn)成本為目標(biāo),以紅外熱成像系統(tǒng)的核心部分非制冷紅外焦平面為基礎(chǔ),研究紅外焦平面封裝前自動(dòng)化測(cè)試的技術(shù)。提2020
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