應(yīng)用材料范圍：

●  硅| 化合物半導(dǎo)體 | 氧化物| 寬帶隙材料| 鈣鈦礦 | 外延層

無接觸且非破壞的少子壽命成像測試：(μPCD/MDP(QSS),光電導(dǎo)率，電阻率和p/n型檢測

●  符合半導(dǎo)體行業(yè)標準 SEMI PV9-1110

半導(dǎo)體質(zhì)量的可視化是通過廣泛應(yīng)用的先進微波技術(shù)實現(xiàn)的。關(guān)鍵的電子半導(dǎo)體參數(shù)的無接觸的快速圖形化檢測，像少數(shù)載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)的測量，靈敏度和測量速度的圖形化方式來展現(xiàn)。這種方法為半導(dǎo)體生產(chǎn)和研究提供了一個廣泛的已有和新的應(yīng)用領(lǐng)域。

MDP系列產(chǎn)品涵蓋了廣泛的應(yīng)用范圍，從高產(chǎn)量、自動化生產(chǎn)的易集成OEM模塊到研究和高靈活性的故障排除工具，MDP始終專注于各種解決方案?？煽亢湍陀玫脑O(shè)計，再加上新電子可能性的集成，使MDP系列產(chǎn)品成為未來高速非接觸式電子半導(dǎo)體特性檢測的完美選擇。

MDPpro單晶、多晶晶圓和晶錠少數(shù)載流子壽命測試設(shè)備產(chǎn)品性能介紹：

●  上限通量: >240 bricks/day或>720 wafers/day

●  測試速度: <4 minutes，156×156×400 mm 標準晶錠

●  壽命測試范圍: 20 ns到幾十ms

●  產(chǎn)量提升: 1mm的切割標準156×156×400mm標準晶錠

●  質(zhì)量控制: 專為單晶或多晶硅等工藝和材料的質(zhì)量監(jiān)控而設(shè)計

●  污染判斷: 產(chǎn)生于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備中的金屬污染 (Fe)

●  可靠性: 模塊化，堅固耐用的工業(yè)儀器，具有更高的可靠性和正常運行時間 > 99%

●  重復(fù)性: > 99.5%

●  電阻率：電阻率面掃功能，無需頻繁校準

應(yīng)用方向：

●  半導(dǎo)體材料少子壽命

●  鐵濃度測定

●  缺陷濃度測試

●  硼氧濃度測試

●  受注入濃影響的測試

●  晶圓切割，熔爐監(jiān)控，材料優(yōu)化