半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)
2025-05-14
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1．技術(shù)性能指標(biāo)
1. 物理指標(biāo)：設(shè)備尺寸（mm）：800(寬)×600(長)×1800(高)mm；
2．電學(xué)指標(biāo)
主極電壓2000V
主極電流2500A
控制極電壓20V
控制極電流10A
電壓分辨率1mV
電流分辨率100pA
測試速度5mS/參數(shù)
晶體管：TRANSISTOR（NPN 型/PNP 型）
測試參數(shù)：ICBO（發(fā)射極開路時(shí)集電極-基極的反向電流）、ICEO（集電極-發(fā)射極漏流）、IEBO（發(fā)射極
-基極間的漏流）、BVCEO（集電極-發(fā)射極的擊穿電壓）、BVCBO（集電極-基極的擊穿電壓）、BVEBO（發(fā)
射極-基極的擊穿電壓）、hFE（放大倍數(shù)）、VCESAT（集電極-發(fā)射極間的飽和壓降）、VBESAT（基極-發(fā)
射極間的飽和壓降）、VBE(基極-發(fā)射極間的非飽和壓降)
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武漢賽斯特精密儀器有限公司
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