電漿原子層沉積設(shè)備（PEALD）是一種基於常規(guī)ALD的方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。 製程中只需靠電漿來進(jìn)行裂化前驅(qū)物材料，無需高溫來傳遞必要的活化能。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制電漿與ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆+/- 1％。
電漿原子層沉積設(shè)備參數(shù)：
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。 微機(jī)電系統(tǒng)。 納米電子學(xué)。 納米孔結(jié)構(gòu)薄膜。 光學(xué)薄膜。 薄膜封裝技術(shù)。
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| 配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)300mm晶圓。 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1％。 較高的深寬比和複雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積。 遠(yuǎn)程等離子體電漿源。 前驅(qū)物材料可多達(dá)6種並可分別加熱到200°C。 快速脈衝的氣體輸送閥，反應(yīng)時間為10毫秒。 通過穩(wěn)定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。 材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。 微機(jī)電系統(tǒng)。 納米電子學(xué)。 納米孔結(jié)構(gòu)薄膜。 光學(xué)薄膜。 薄膜封裝技術(shù)。
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| 配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)300mm晶圓。 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1％。 較高的深寬比和複雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積。 遠(yuǎn)程等離子體電漿源。 前驅(qū)物材料可多達(dá)6種並可分別加熱到200°C。 快速脈衝的氣體輸送閥，反應(yīng)時間為10毫秒。 通過穩(wěn)定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。 材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。
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