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一、設(shè)備基本原理與特點(diǎn)

1.基本原理:
熱誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積(英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導(dǎo)體和金屬材料的保護(hù)涂層的沉積的有力方式,無論是單晶,多晶,無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求,根據(jù)工藝參數(shù),可以有多種層厚度,從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護(hù)層或功能層,以及厚度達(dá)100微米的單片部件,甚至高達(dá)數(shù)毫米。

2.設(shè)備特點(diǎn):
(1)采用臥式、側(cè)開門結(jié)構(gòu),裝、卸料精度高,操作方便;
(2)采用先進(jìn)的控制技術(shù),能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動范圍??;
(3)溫度均勻性好,平均溫度均勻性為±5℃;
(4)采用多通道沉積氣路,流場均勻,無沉積死角,沉積效果好;
(5)全封閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強(qiáng);
(6)安全性能好,采用HMI+PLC+PID程序控制,安全可靠;
(7)對沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點(diǎn)粘性產(chǎn)物能進(jìn)行有效處理;
(8)多級高效尾氣處理系統(tǒng),環(huán)境友好,能高效收集焦油及副產(chǎn)物,易清理;
(9)采用設(shè)計(jì)防腐蝕真空機(jī)組,持續(xù)工作時(shí)間長,維修率極低。

二、主要技術(shù)參數(shù):

1編號C2GR16
2產(chǎn)品型號VHCgr-20/20/30-1600
3最高設(shè)計(jì)溫度(℃)1600
4加熱元件等靜壓石墨
5加熱功率(kW)45
6冷態(tài)極限真空度(Pa)6.7x10-3Pa(空爐、冷態(tài)、經(jīng)凈化)
7測溫元件鎢錸熱電偶
8升溫速率1~20℃/min
9溫度均勻性±5℃(5點(diǎn)測溫,恒溫區(qū)1000℃保溫1h后檢測)
10爐膛尺寸(mm)200x200x300(WxHxD)
11可通入氣氛1路CH3SiCI3、1路氨氣、1路氫氣、1路氮?dú)?/td>
12氣氛流量計(jì)4路質(zhì)量流量計(jì)
13設(shè)備外形尺寸(mm)1425x1550x1850mm(LxWxH)


三、化學(xué)氣相沉積爐(CVD氣相沉積爐)產(chǎn)品展示圖:

C2GR16-氣相沉積爐

C2GR16-氣相沉積爐







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