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CY-PECVD100-1200-Q-CVD化學氣相沉積系統(tǒng)

2025-07-24

產      地:
暫無
所在地區(qū):
河南鄭州市
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簡單介紹:

CVD化學氣相沉積系統(tǒng)廣泛應用于材料科學和工程領域,用于制備各種功能性薄膜,如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導體、光電子、能源、生物醫(yī)學等領域都有重要應用

詳情介紹:

CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術,通過在高溫下將氣體反應物質與基底表面反應,形成薄膜。


1. 反應室溫度:通常在幾百到千度之間,具體取決于所需的反應溫度和材料。


2. 反應氣體:根據所需的薄膜材料和結構,可以使用不同的反應氣體,如氨氣、氫氣、氧氣、二氧化硅等。


3. 壓力范圍:通常在幾百帕到幾千帕之間,具體取決于反應物質和反應條件。


4. 反應時間:根據所需的薄膜厚度和質量,反應時間可以從幾分鐘到幾小時不等。


5. 基底材料:CVD系統(tǒng)可以用于各種基底材料,如硅、玻璃、金屬等。


6. 應用領域:CVD氣相沉積系統(tǒng)廣泛應用于材料科學和工程領域,用于制備各種功能性薄膜,如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導體、光電子、能源、生物醫(yī)學等領域都有重要應用。

CVD化學氣相沉積系統(tǒng)

技術參數:

產品名稱

CVD化學氣相沉積系統(tǒng)

產品型號

CY-PECVD100-1200-Q

頻電源

信號頻率

13.56MHz±0.005%

功率輸出

0~300W

*大反射功率

100W

反射功率

<3W (*大功率時)

功率穩(wěn)定性

±0.1%

管式爐

管子材質

高純石英

管子外徑

100mm

爐膛長度

440mm

加熱區(qū)長度

200mm+200mm (雙溫區(qū))

連續(xù)工作溫度

≦1100℃

溫控精度

±1℃

溫控模式

30段程序控溫

顯示模式

LCD觸摸屏

密封方式

304 不銹鋼真空法蘭

供氣系統(tǒng)

通道數

6通道

測量單元

質量流量計

測量范圍

A 通道: 0~200SCCM, 氣體為H2  

B 通道: 0~200SCCM,氣體為CH4

C 通道: 0~200SCCM,氣體為 C2H4

D通道: 0~500SCCM,氣體為 N2

E通道: 0~500SCCM,氣體為 NH3

F通道: 0~500SCCM, 氣體為 Ar

測量精度

±1.5%F.S

工作壓差

-0.15Mpa~0.15Mpa

接頭規(guī)格

1/4" 卡套接頭

氣體混合罐

1L

真空系統(tǒng)

機械泵

雙極旋片泵

抽速

1.1L/S  

真空測量

電阻規(guī)

極限真空

0.1Pa

抽氣接口

KF16

滑  軌

爐體可以滑動,實現快速降溫

供電電源

AC220V 50Hz



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