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產(chǎn)      地:
www.f-lab.cn/detector.html
所在地區(qū):
上海上海市
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這款硅漂移探測(cè)器(SDD,Silicon Drift Detector)專業(yè)為XRF光譜儀和SEM掃描電鏡EDS能譜儀探測(cè)器應(yīng)用而設(shè)計(jì),提供窗口材料的選擇,從鈹(8μm)到薄型聚合物(用于輕型X射線透射),并提供10mm2至60mm2的傳感器有源區(qū)域。 此外,所有或我們的SEM SDD版本都是無振動(dòng)的。
硅漂移探測(cè)器在與創(chuàng)新的基于以太網(wǎng)的數(shù)字脈沖處理器相結(jié)合時(shí)得到優(yōu)化。 具體配置給每個(gè)客戶,SDD硅漂移探測(cè)器在廣泛的輸入計(jì)數(shù)率下提供和穩(wěn)定的性能,以產(chǎn)生快速X射線圖。
硅漂移探測(cè)器規(guī)格

SDD探測(cè)器典型特征
傳感器區(qū)域窗口選項(xiàng)分辨率eV(Mn K / C)
10mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤123-133
30mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤126-133
60mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤126-133
100mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤128-133






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