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GWXRD-01型硅片衍射高溫測試實驗裝置

2025-05-30

產(chǎn)      地:
暫無
所在地區(qū):
北京北京市
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GWXRD-01型硅片衍射高溫測試實驗裝置

背景:

硅片,是一種圓形的片狀材料,其原子經(jīng)過人工重新排列,是具有晶向的高純半導(dǎo)體材料。由于硅元素在占地殼質(zhì)量的26%,所以單晶硅是目前主要的半導(dǎo)體材料。單晶硅是目半導(dǎo)體材料,占據(jù)半導(dǎo)體材料市場的90%以上,是信息技術(shù)和集成電路的基礎(chǔ)材料。        

   XRD硅片衍射高溫測實驗裝置是區(qū)別于目前常溫下對硅片進(jìn)行測試的裝置,現(xiàn)在是基于一種高溫環(huán)境下對硅片衍射提供一種更加復(fù)雜的環(huán)境即高溫條件下測試硅片的性能,是材料研究中一種變溫裝置。

主要技術(shù)參數(shù):

材質(zhì):不銹鋼材質(zhì)

溫度范圍:室溫~500℃

加熱平臺:φ200mm

平面射角:-40°≤α≤40°,射線垂面射角:-2°≤β≤70°

升溫速率<5℃/min

主測溫:熱電偶,紅外測溫(輔助)

溫度顯示/控制精度:0.1℃/0.5℃

實驗環(huán)境:腔體密閉,可充氣氛

冷卻方式:循環(huán)水冷

溫度控制:調(diào)節(jié)器精度0.2級,PID人工智能控制,50段程序

溫控軟件:中英文界面切換,實時操控,多點溫度校正、可設(shè)置溫速、控溫區(qū)間等,工藝曲線顯示與記錄

運動控制儀:一軸熱臺水平移動,一軸熱臺旋轉(zhuǎn),一軸紅外測溫移動。手動或軟件操控



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