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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>常用儀表>電子儀表>多路巡檢儀>IST 8900 半導體元件自動化測試系統(tǒng)

IST 8900 半導體元件自動化測試系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準

聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


      深圳市華瑞高電子技術有限公司是專業(yè)的電磁兼容(EMC)儀器儀表*公司,公司專業(yè)提供*的電磁兼容(EMC)測試設備,電磁干擾/抗干擾診斷系統(tǒng),并提供專家級的EMC測試技術和咨詢服務。 

    為及時把國外EMC法規(guī)較早動態(tài)傳遞給客戶,我們定期會聯(lián)合廠家在深圳舉行EMC研討會,內(nèi)容涵蓋國外EMC法規(guī)較早信息、EMC設備發(fā)展趨勢及新品、EMC測試技術等。 

    憑借著雄厚的技術實力與嫻熟的技術服務,經(jīng)過多年切實的努力,我們所代理的EMC產(chǎn)品有:瑞士EMC PARTNER公司的EMS測試設備和諧波電壓閃爍測試設備、瑞士TESTQ公司的EMS全系列產(chǎn)品、德國FRANKONIA公司的RS,CS抗擾度測試系統(tǒng)、意大利PMM公司的EMI測試設備、日本NOISEKEN公司的EMS設備、德國Schroder公司的EMS測試設備、上海凌世電子有限公司的全系EMS產(chǎn)品等(其中EMC PARTNER公司的Mr. Martin Lutz是IEC TC77/65委員會的委員)。上述設備均已獲得國內(nèi)多家EMC學術研究機構(gòu)和EMC實驗認證機構(gòu)的認可及采用。目前,我司在廣東地區(qū)已擁有數(shù)百家EMC產(chǎn)品客戶(如華為,創(chuàng)維,中興,天馬微,微高,華測,東莞電子科技大學等)。 

    我司所代理產(chǎn)品可滿足:IEC、CISPR、EN、FCC、UL、Bellcore、ITU、MIL-STD、VDE、CSA、GB、ANSI等相關EMC及安全標準。與您共同解決電磁兼容(EMC)測試技術的困擾是深圳市華瑞高電子技術有限公司全體同仁的較大心愿。我們堅信,以我們優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、專業(yè)的技術和服務,就一定可以與您共贏未來。

 

 

靜電放電發(fā)生器,靜電放電模擬器,靜電槍,電快速脈沖發(fā)生器,雷擊浪涌發(fā)生器,周波跌落發(fā)生器,工頻磁場發(fā)生器,電壓跌落發(fā)生器,衰減振蕩波發(fā)生器

IST 8900半導體元件自動化測試系統(tǒng)真正一臺完整而具有“性價比”的半導體元件自動化測試系統(tǒng),能測試從毫瓦(mW)到千瓦(kW)級全功率系統(tǒng)的多種半導體元件!

特點:
☆ 可檢測12種半導體元件的參數(shù)多達135個;
☆ 可單機獨立操作,測試范圍達2500V及50A;
☆ 具有自我校正及自我測試診斷之功能;
☆ 外接大電流機箱或高壓裝置,檢測范圍可擴展至4800A及10KV;
☆ 具有USB接口,可外接PC、打印機、數(shù)據(jù)記錄器;
☆ 測試程序可儲存及重復使用;
☆ 錯誤或損壞的元件,在未進入?yún)?shù)測試前,便可被自動篩除;
☆ 提供全自動好/壞判別或參數(shù)上的測量;
☆ 提供Windows PC Curve Tracer特性曲線軟件(選購);
☆ 具有機械手接口,可供大量生產(chǎn)測試;
☆ 任何管腳錯誤的連接,均可在啟動時,安全快速地檢測到,且自動停止測試動作;
☆ 測試程序的產(chǎn)生,采用填充式的引導方式;
☆ 測試光耦輸出端為三極管或交直流可控硅的元件;
☆80μs~300μs脈沖測試間隔,可防止元件過熱造成的數(shù)據(jù)漂移或損毀。
☆ 采用自動校準軟件技術,可排除連接插件接觸面、電路板上的線路或繼電器接點上細微的壓降問題,以避免使用昂貴而麻煩的KELVIN插座,保證MOSFET的Rds(on)精度可達±1mΩ (±0.001Ω)。


 元件類型

 

 漏電流

 

 崩潰電壓

 

 導通參數(shù)

 

 放大倍率

 

 觸發(fā)參數(shù)

 

 閂扣參數(shù)

 

 保持參數(shù)

 

 開關參數(shù)

 

 Bipolar

 Transistor

 

 Iceo、Ices、Icev、Icbo、Iebo

 

 BVceo、BVces

 BVcev、BVcbo

 BVebo

 

 Vce(sat)

 Vbe(sat)

 

 hFE

 

 Vbe(on)

 

  

 

  

 

 ton

 toff

 

 MOSFET

 Transistor

 

 Idss、Igsr、Igsf、Idsv

 

 BVdss

 

 Vds(on)、Ids(on)

 Rds(on)、Vsd

 

 gFS

 

 Vgs(th)

 Vgs(on)

 

  

 

  

 

 ton

 toff

 

 IGBT

 

 Ices、Igsr、Igsf

 

 BVces

 

 Vce(sat)、

 Ic(on)、Vf

 

 gFS

 

 Vge(th)

 Vge(on)

 

  

 

  

 

 ton

 toff

 

 TRIAC

 

 Idrm、Irrm

 

 BVrrm、BVdrm

 

 Vtm+、Vtm-

 

  

 

 Iga 1/2/3/4

 Vga 1/2/3/4

 

  

 

 Ih+、Ih-

 

  

 

 SCR

 

 Idrm、Irrm、Igko

 

 BVdrm、BVrrm

 BVgko

 

 Vtm

 

  

 

 Igt、Vgt

 

 IL

 

 Ih

 

  

 

 GTO

 

 Idrm、Irrm、Igrm

 

  

 

 Vtm

 

  

 

 Igt、Vgt

 

 IL

 

 Ih

 

  

 

 DIODE

 

 Ir

 

 BVr

 

 Vf、If

 

  

 

  

 

  

 

  

 

  

 

 Zener Diode

 

 Ir

 

 BVz、BVr

 

 Vf

 

  

 

  

 

  

 

  

 

  

 

 J-FET

 

 Igss

 

 BVgss

 

 Idss、Rds(on)

 Vds(on)

 

 gFS

 

  

 

 Vgs(p)

 

 Id(p)

 

  

 

 Regulator

 

  

 

  

 

 +/-Vo、+/-Ipk

 +/-Isc

 

  

 

  

 

 +/-dV

 

 +/-0r、+/-Ir

 

  

 

 Optoisolator

 

 Irrm、Ir、Iceo

 Icbo、Iebo

 Ic(off)、Idrm

 

 BVceo、BVcbo

 BVebo

 

 Vf、Ic(on)、

 Vce(sat)、Vtm

 

 CTR、hFE

 

 Igt

 

  

 

 Ih

 

  

 

 VTS

 

 Ir

 

 BVr

 

 Vbo、bo、dVbo

 

  

 

  

 

  

 

  

 

  

 

大功率半導體元件的測試
當功率模塊老化時,其工作效能必定降低,一個應用在大功率開關上的功率元件,在其使用期限內(nèi),如能定期維護測
試,可確保其使用的*狀態(tài),防止故障發(fā)生。
IST 8900半導體元件全自動測試系統(tǒng),可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),再與
原出廠指標比較,由此來判定元件的好壞或退化的百分比。
導通參數(shù)測試如:Vce(sat)、Vds(on)、Rds(on)、Vf及Vtm等,可由選購外部電流模塊M2400與M4800,將IST 8900的大功率測試電流擴大至數(shù)千安培。
每個電流模塊,都具有獨立的供電系統(tǒng),以便在測試時,提供內(nèi)部電路及電池組充電之用;IST 8900可通過一個DB-25接口,連續(xù)控制電流量0~2400A或0~4800A。
可選購外部高壓模塊,執(zhí)行關閉狀態(tài)參數(shù)測試如:各項崩潰電壓與漏電流測量達10KV。
泄漏電流測量檔位 Leakage Current Measurement Range
測試參數(shù)
Parameter
電流檔位
Current Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
測量條件
Test Condition
Iceo/s/v、Icbo、
Iebo、Idss/v、
Igsr/f、Idrm、
Irrm、Igko、
Igss、Ir、
Ic(off)
0 - 400 nA 0.1 nA ± 3% 0 - 2.5 KV
0 - 4 μA 1 nA ± 1% 0 - 2.5 KV
0 - 40 μA 10 nA ± 1% 0 - 2.5 KV
0 - 400 μA 0.1 nA ± 1% 0 - 2.5 KV
0 - 4 mA 1 μA ± 1% 0 - 2.5 KV
0 - 40 mA 10 μA ± 1% 0 - 2.0 KV
0 - 400 mA 0.1 mA ± 1% 0 - 1 KV
崩潰電壓檔位 Breakdown  Voltage  Range
測試參數(shù)
Parameter
電壓文件位
Voltage Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
測量條件
Test Condition
BVceo/s/v、BVcbo、Vebo、BVdss、BVr、BVdrm、BVrrm、BVgss、BVz 0 - 30 V 0.05 V ± 1% 0 - 5 A
30 - 60 V 0.05 V ± 1% 0 - 2 A
60 - 2500 V 0.3 V ± 2% 0 - 40 mA
導通電流測量檔位  On-State Current Range
測試參數(shù)
Parameter
電流檔位
Current Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
測量條件
Test Condition
hFE、Vce(sat)、Vbe(on)、Vbe(sat)、Vds(on)、 Ids、Vds、Rds(on)、Ic(on)、Vf、If、Vtm、± Vo、± Ipk、± Isc、Vbo、Ibo 0 - 20 mA 5 μA ±13% 0 - 40 V
0 - 200 mA 50 μA ± 1% 0 - 40 V
0 -2 A 0.5 mA ± 1% 0 - 40 V
0 - 25 A 6 mA ± 1% 0 - 30 V
0-50 A 12mA ± 1% 0 - 20 V
觸發(fā)電流檔位  Trigger  Current Range
測試參數(shù)
Parameter
電流檔位
Current Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
測量條件
Test Condition
hFE、Vgs(th)、Vbe(on)、Vgs(on)、Vge(th)、Vge(on)、Igt、Vgt、IL、Ih、Ic(on)、Igt 1/2/3/4、Vgt 1/2/3/4 0 - 100 μA 20 nA ±1% 0 - 20 V
0 - 1 mA 0.2 μA ± 1% 0 - 20 V
0 -10 mA 2 μA ± 1% 0 - 20 V
0 - 100 mA 20 μA ± 1% 0 - 20 V
0 - 1 A 0.2 mA ± 1% 0 - 20 V
0 - 20 A 4 mA ± 1% 0 - 20 V
                     
 
 
觸發(fā)電壓文件位Trigger Voltage Range
測試參數(shù)
Parameter
電壓文件位
Voltage Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
Vbe(on),Vbe(sat),Vge(on), Vgs(on),  Vgt 0 - 20 V 4 mV ± 1%
開關時間  Switching Time
測試參數(shù)
Parameter
電壓文件位
Voltage Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
ton、toff 0 - 1095 ns
連續(xù)調(diào)整
5 ns ± 1%
             
 
機身規(guī)格
儀器 體積  高x深X寬 重量
主機 11.43cm x43.69cm x41.91cm 7.7 kg
M2400A 31.75cm x44.45cm x53.34cm 75 kg
M4800A 49.53cm x44.45cm x53.34cm 120 kg
10kV電壓模塊 12.7cm x 27.94cm x30.48cm 5.5 kg
標準配件:
● AC電源線
● 操作手冊
● 二極管軸心引腳測試治具
● 測試治具,適用于TO-220、202、237、218、92
● 測試治具,適用于TO-247、247 super
● 測試治具,適用于SMD封裝
選購配件:
● 通用測試夾治具(短測試線)
● 通用測試夾治具(長測試線)
● 測試插座轉(zhuǎn)接器,適用于單/雙光耦合裝置
● 測試治具,適用于TO-3、66、204
● DB-25公頭/公頭接口控制導線,適用于連接外部模
塊機箱
● 超彈性硅膠大功率測試線
● 夾式測試治具,適用于150mm直徑圓盤封裝
 



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