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VTC-2RF 等離子鍍膜設(shè)備

具體成交價以合同協(xié)議為準
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磁控濺射鍍膜儀

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  合肥科晶材料技術(shù)有限公司成立于1997年,是由一群來自麻省理工學院和加州大學伯克利分校的材料研究人員創(chuàng)辦的美國MTI公司與中科院合肥物質(zhì)科學研究院合資興辦的高新技術(shù)企業(yè)。主要生產(chǎn)氧化物晶體(A--Z)和材料實驗室成套設(shè)備:包括“混料-壓料-燒料”(混料機、壓片機、箱式爐、真空管式爐)以及“定向-切割-研磨-拋光”(X射線定向儀、低速外圓鋸、金剛石線切割機、自動研磨、拋光機)。公司自主研發(fā)生產(chǎn)上百款不同規(guī)格尺寸、溫度、高溫高壓及快速升溫等產(chǎn)品,其中包括:箱式爐、氣氛爐、管式爐、井式爐、RTP快速升溫爐、高溫高壓爐、鍍膜機、清洗劑及新能源鋰離子電池研發(fā)等相關(guān)實驗室設(shè)備?,F(xiàn)已成為氧化物晶體(A--Z)的主要制造商和材料研究實驗室設(shè)備的*,為科研工作者提供材料研究解決方案。產(chǎn)品設(shè)計*、性能優(yōu)異,質(zhì)量可靠,性價比高,環(huán)保節(jié)能、返修率低,遠銷到歐洲,美國,日本,德國等許多國家,廣泛應用于物理、化學、冶金、醫(yī)學、新能源材料研發(fā)等領(lǐng)域,受到客戶*好評。
 
  科晶公司秉承"以人為本、技術(shù)為導、誠信為基、積極創(chuàng)新"的經(jīng)營理念,全力打造材料研發(fā)設(shè)備的品牌,竭力為科學進步和社會發(fā)展做出貢獻。
 

真空管式爐,高溫箱式爐,高速震動球磨機,RTP快速退火爐,高溫高壓爐,涂覆機,電池制備設(shè)備等

等離子鍍膜設(shè)備是一款小型的射頻(RF)等離子體磁控濺射鍍膜儀系統(tǒng),系統(tǒng)中包含了所有所需的配件,如300W(13.5MHz)的RF電源、2“的磁控濺射頭、石英真空腔體、真空泵和溫度控制器等。對于制作一些金屬薄膜及非金屬薄膜,它是一款物美價廉的實驗幫手。

等離子鍍膜設(shè)備詳細說明

   VTC-2RF是一款小型的射頻(RF)等離子體磁控濺射鍍膜儀系統(tǒng),系統(tǒng)中包含了所有所需的配件,如300W13.5MHz)的RF電源、2"的磁控濺射頭、石英真空腔體、真空泵和溫度控制器等。對于制作一些金屬薄膜及非金屬薄膜,它是一款物美價廉的實驗幫手。
我們用此設(shè)備得到擇優(yōu)取向的ZnO薄膜


技術(shù)參數(shù)

輸入電源

  • 220VAC 50/60Hz, 單相
  • 800W  (包括真空泵)

等離子源

一個300W,13.5MHz的射頻電源安裝在移動柜內(nèi)

(點擊圖片查看詳細資料)

 

磁控濺射頭

  • 一個 2英寸磁控濺射頭(帶有水冷夾層),采用快速接頭與真空腔體相連接
  • 靶材尺寸: 直徑為50mm,zui大厚度6.35mm
  • 一個快速擋板安裝在法蘭上(手動操作,見圖左3)
  • 濺射頭所需冷卻水:流速10ml/min(儀器中配有一臺流速為16ml/min的循環(huán)水冷機)
  • 同時可選配1英寸濺射頭

真空腔體

  • 真空腔體:160 mm OD x 150 mm ID x  250mm H,采用高純石英制作
  • 密封法蘭:直徑為165 mm .  采用金屬鋁制作,采用硅膠密封圈密封
  • 一個不銹鋼網(wǎng)罩住整個石英腔體,以屏蔽等離子體
  • 真空度:10-3 Torr (采用雙極旋片真空泵)
  •         10-5 torr (采渦旋分子泵)

載樣臺

  • 載樣臺可旋轉(zhuǎn)(為了制膜更加均勻)并可加熱
  • 載樣臺尺寸:直徑50mm (zui大可放置2英寸的基片)
  • 旋轉(zhuǎn)速度:1 - 20 rpm
  • 樣品的zui高加熱溫度為700℃,(短期使用,恒溫不超過1小時),長期使用溫度500℃
  • 控溫精度+/- 10℃

真空泵

可選用直聯(lián)式雙極旋片泵,也可選用德國制作的分子泵系統(tǒng)

   

薄膜測厚儀

  • 一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上,可實時監(jiān)控薄膜的厚度,分辨率為0.10 ?  
  • LED顯示屏顯示,同時也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù)

外形尺寸

              

質(zhì)保和質(zhì)量認證

  • 一年質(zhì)保期,終生維護
  • CE認證

使用注意事項

  • 這款2英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜,所以并不需要太高的真空度
  • 為了較好地排出真空腔體中的氧氣,建議用5%H2+95 %N2對真空腔體清洗,可有效減少真空腔體中的氧含量
  • 請用純度大于5N的Ar來進行等離子濺射,甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水,所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過凈化系統(tǒng)過后,再導入到真空腔體內(nèi)

 



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