肖特基勢壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導通過程中沒有額外載流子注入和儲存，因而基本沒有反向恢復電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。但是硅的肖特基勢壘較低，硅SBD的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低壓場合在電壓較高的場合通常采用PiN二極管，但其反向恢復電流較大，開關(guān)損耗大。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，制作反向擊穿電壓超過1000V的碳化硅SBD相對比較容易。

基于SiC的這些*優(yōu)勢，Cree等半導體器件商生產(chǎn)出單個器件電流等級1-20A，電壓等級為300V、600V和1200V的高壓SiC肖特基二極管產(chǎn)品，表1給出了目前國際上主要的碳化硅SBD制造商和其商業(yè)化器件的水平，其中Cree公司剛剛推出其新的1700V電壓等級的碳化硅SBD。在高壓開關(guān)應用中，SiC肖特基二極管能提供近乎理想的性能。它幾乎沒有正向恢復電壓，因而能夠立即導通，不同于結(jié)電容，它的儲存電荷也非常小，能迅速關(guān)斷。