替代Si2302應用美容儀功率mos管工藝
Si2302功率半導體器件的功率控制范圍及其工作頻率［3]在功率器件的發(fā)展過程中，功率MOSFET一直扮演著非常重要的地位。從*上看，以2006年為例，功率MOSFET幾乎占到整個功率器件市場的26%.而功率MOSFET之所以發(fā)展如此迅速，原因如下：（1)頻率高：場效應晶體管作為一種多子器件，相比雙極型功率器件，其頻率有了很大提高。因此不僅在高頻應用有了擴大，在縮小整機體積方面也起了關鍵的功率控制容量（W)作用。（2)驅動方便：場效應晶體管相比雙極型晶體管，其控制方法由電流控制變?yōu)殡妷嚎刂?，可以直接用一些專用的高壓集成電路作為驅動進行控制。（3)通態(tài)電阻?。盒乱淮膱鲂w管的通態(tài)電阻不僅比PN結的正向好，甚至比過去認為的有著正向電阻之稱的肖特基二極管還好。因而MOSFET不僅是一種快速開關器件，而且在一定的條件下還是一種的整流元件。這些優(yōu)點使MOSFET幾乎進入了功率轉換的每一個領域。（4)MOSFET新型器件的擴充：以MOSFET為基礎的新型器件，如IGBT,進一步擴大了MOS型器件的功率領域正因為功率MOSFET有著廣泛的應用，國內(nèi)外對功率MOSFET的研究從未止步，各種新型的MOSFET器件也不斷涌現(xiàn)。

Si2302VU MOSFET（Vertical U-groove MOSFET）為了改善 V 型槽頂端的電場尖峰和電流集中效應，研究人員又發(fā)明了 VU

MOSFET，VU MOSFET 與 VV MOSFET 一致同樣采用各向異性刻蝕工藝挖 U 槽。VU MOSFET 特點：解決了 VV MOSFET 放電問題，提高擊穿電壓；溝道垂直，元胞可做得更小，元胞數(shù)增加。但其工藝穩(wěn)定性不佳。

替代Si2302常見問題
1、Si2302mos管小電流發(fā)熱的原因：

1）電路設計的問題：就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)，這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。

如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能*導通，P-MOS則相反。沒有*打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。

2）頻率太高：主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3）沒有做好足夠的散熱設計：電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。

4）Si2302MOS管的選型有誤：對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。

2、Si2302mos管小電流發(fā)熱嚴重怎么解決：

做好MOS管的散熱設計，添加足夠多的輔助散熱片。

貼散熱膠。

3、Si2302MOS管為什么可以防止電源反接？

電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護電路，達到即使接反電源，也不會損壞的目的。

一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減。

MOS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計?，F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個毫歐的內(nèi)阻，假設是6.5毫歐，通過的電流為1A（這個電流已經(jīng)很大了），在他上面的壓降只有6.5毫伏。

由于MOS管越來越便宜，所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。

4、電池保護板MOS管放電過程中燒壞的原因

Si2302MOS管燒壞的情況在焊接過程中有短路現(xiàn)象，放電過程中MOS管沒有*打開，處于關閉或半打開狀態(tài)，PCBA內(nèi)阻變大，長時間大電流放電，發(fā)熱燒壞、燒糊。

生產(chǎn)組裝過程有靜電殘留，或在充放電過程中有外部異常電流／大電壓充放電過程導致MOS管被損壞、燒糊。

保護板MOS管燒壞處理方法：建議在焊接串線過程時先焊B4-線（因為靠近B2串的R19短路的風險大）然后在焊接B2串，這樣可以規(guī)避B2和B4短路引起的不良。

Si2302MOS管燒壞防護措施：生產(chǎn)過程各環(huán)節(jié)做好ESD防護工作，焊接過程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線路，建議在焊接串線過程中先焊B4再焊B2線。

5、超過GS或DS耐壓造成MOS擊穿

設計時要對GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值，否則在實際應用中，電壓的波動或者溫度的變化可能會使電壓超過耐壓值而損壞MOS。

6、持續(xù)大電流造成熱擊穿

長時間的大電流，例如D8540NX一直以33A持續(xù)過電流，芯片的內(nèi)核會逐漸升溫到170度以上，芯片的內(nèi)核即可能會被擊穿。

7、瞬間高壓

尤其是配合電機使用時，當電機突然停止時，會產(chǎn)生瞬時的反向電壓，如果續(xù)流二極管不夠大，則可能會損傷MOS。

8、Si2302瞬間短路電流

當短路瞬間電流超過了MOS的IDM，如果持續(xù)時間超過前述表9的邊界范圍，則有可能導致MOS瞬間擊穿。

9、Si2302ESD影響

冬天尤其要注意，ESD高發(fā)時，Ciss電容越小，越容易受到ESD的影響。

10、高頻開關損耗過大

高頻開關，尤其是調速或無刷應用時，MOS處于高頻開關狀態(tài)，如果驅動和MOS的開關速度沒有配合好，導致開關損耗過大，也同樣容易使MOS升溫導致?lián)p壞。

11、Si2302GS驅動電壓不匹配

對于高開啟的MOS，卻使用5V，甚至3.3V的電源來驅動，或者驅動電阻分壓不當，例如滿電時GS分壓為10V，但接近空電時只有5V左右的電壓，導致MOS開啟不*，內(nèi)阻成倍增加，通過電流時會快速產(chǎn)生熱量導致MOS燒壞。

12、Si2302MOS 損壞主要原因：

過流 ---------- 持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；

過壓 ---------- 源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；

靜電 ---------- 靜電擊穿，CMOS 電路都怕靜電；


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。

要注意以下幾個點：

1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。

5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹

華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產(chǎn)品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代Si2302應用美容儀功率mos管封裝
Si2302有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設計或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產(chǎn)品；也有些超薄設計需要將器件管腳折彎平放，這會加大MOS管選用的復雜度。

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