替代K3918應用11串mos管開關工藝
K3918層次 1（裸芯片）它是特指半導體集成電路元件（IC 芯片）的封裝，芯片由半導體廠商生產(chǎn)，分為兩類，一類是系列標準芯片，另一類是針對系統(tǒng)用戶特殊要求的專用芯片，即未加封裝的裸芯片（電極的制作、引線的連接等均在硅片之上完成）。層次 2（封裝后的芯片即集成塊）分為單芯片封裝和多芯片封裝兩大類。前者是對單個裸芯片進行封裝，后者是將多個裸芯片裝載在多層基板（陶瓷或有機）上進行氣密性封裝構成MCM。層次 3（板或卡）它是指構成板或卡的裝配工序。將多個完成層次 2 的單芯片封裝和 MCM，實裝在 PCB 板等多層基板上，基板周邊設有插接端子，用于與母板及其它板或卡的電氣連

接。層次 4（單元組件）將多個完成層次 3 的板或卡，通過其上的插接端子搭載在稱為母板的大型 PCB 板上，構成單元組件。層次 5（框架件）它是將多個單元構成（框）架，單元與單元之間用布線或電纜相連接。層次 6（總裝、整機或系統(tǒng)）它是將多個架并排，架與架之間由布線或電纜相連接，由此構成大型電子設備或電子系統(tǒng)。

封裝基板和封裝分級：從硅圓片制作開始，微電子封裝可分為 0、1、2、3 四個等級，涉及上述六個層次，封裝基板（PKG基板或 Substrate）技術現(xiàn)涉及 1、2、3 三個等級和 2～5 的四個層次。封裝基板主要研究前 3 個級別的半導體封裝（1、2、3 級封裝），0 級封裝暫與封裝基板無關，因此封裝基板一般是指用于 1 級 2 級封裝的基板材料，母板（或載板）、剛撓結合板等用于三級封裝。

K3918封裝基板和三級封裝：零級封裝裸芯片電極的制作、引線的連接等均在硅片之上完成，暫與基板無關。一級封裝一級封裝經(jīng) 0 級封裝的單芯片或多芯片在封裝基板（普通基板、多層基板、HDI 基板）上的封裝，構成集成電路模塊（或元件）。即芯片在各類基板（或中介板）上的裝載方式。

替代K3918常見問題
1、K3918mos管小電流發(fā)熱的原因：

1）電路設計的問題：就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)，這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。

如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能*導通，P-MOS則相反。沒有*打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。

2）頻率太高：主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3）沒有做好足夠的散熱設計：電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。

4）K3918MOS管的選型有誤：對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。

2、K3918mos管小電流發(fā)熱嚴重怎么解決：

做好MOS管的散熱設計，添加足夠多的輔助散熱片。

貼散熱膠。

3、K3918MOS管為什么可以防止電源反接？

電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護電路，達到即使接反電源，也不會損壞的目的。

一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減。

MOS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計。現(xiàn)在的MOS管可以做到幾個毫歐的內(nèi)阻，假設是6.5毫歐，通過的電流為1A（這個電流已經(jīng)很大了），在他上面的壓降只有6.5毫伏。

由于MOS管越來越便宜，所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。

4、電池保護板MOS管放電過程中燒壞的原因

K3918MOS管燒壞的情況在焊接過程中有短路現(xiàn)象，放電過程中MOS管沒有*打開，處于關閉或半打開狀態(tài)，PCBA內(nèi)阻變大，長時間大電流放電，發(fā)熱燒壞、燒糊。

生產(chǎn)組裝過程有靜電殘留，或在充放電過程中有外部異常電流／大電壓充放電過程導致MOS管被損壞、燒糊。

保護板MOS管燒壞處理方法：建議在焊接串線過程時先焊B4-線（因為靠近B2串的R19短路的風險大）然后在焊接B2串，這樣可以規(guī)避B2和B4短路引起的不良。

K3918MOS管燒壞防護措施：生產(chǎn)過程各環(huán)節(jié)做好ESD防護工作，焊接過程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線路，建議在焊接串線過程中先焊B4再焊B2線。

5、超過GS或DS耐壓造成MOS擊穿

設計時要對GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值，否則在實際應用中，電壓的波動或者溫度的變化可能會使電壓超過耐壓值而損壞MOS。

6、持續(xù)大電流造成熱擊穿

長時間的大電流，例如D8540NX一直以33A持續(xù)過電流，芯片的內(nèi)核會逐漸升溫到170度以上，芯片的內(nèi)核即可能會被擊穿。

7、瞬間高壓

尤其是配合電機使用時，當電機突然停止時，會產(chǎn)生瞬時的反向電壓，如果續(xù)流二極管不夠大，則可能會損傷MOS。

8、K3918瞬間短路電流

當短路瞬間電流超過了MOS的IDM，如果持續(xù)時間超過前述表9的邊界范圍，則有可能導致MOS瞬間擊穿。

9、K3918ESD影響

冬天尤其要注意，ESD高發(fā)時，Ciss電容越小，越容易受到ESD的影響。

10、高頻開關損耗過大

高頻開關，尤其是調速或無刷應用時，MOS處于高頻開關狀態(tài)，如果驅動和MOS的開關速度沒有配合好，導致開關損耗過大，也同樣容易使MOS升溫導致?lián)p壞。

11、K3918GS驅動電壓不匹配

對于高開啟的MOS，卻使用5V，甚至3.3V的電源來驅動，或者驅動電阻分壓不當，例如滿電時GS分壓為10V，但接近空電時只有5V左右的電壓，導致MOS開啟不*，內(nèi)阻成倍增加，通過電流時會快速產(chǎn)生熱量導致MOS燒壞。

12、K3918MOS 損壞主要原因：

過流 ---------- 持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；

過壓 ---------- 源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；

靜電 ---------- 靜電擊穿，CMOS 電路都怕靜電；


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。

要注意以下幾個點：

1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。

5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹

華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產(chǎn)品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個世界
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代K3918應用11串mos管開關封裝
K3918SOT封裝類型
K3918SOT23是常用的三極管封裝形式，有3條翼形引腳，分別為集電極、發(fā)射極和基極，分別列于元件長邊兩側，其中，發(fā)射極和基極在同一側，常見于小功率晶體管、場效應管和帶電阻網(wǎng)絡的復合晶體管，強度好，但可焊性差。
K3918SOT89具有3條短引腳，分布在晶體管的一側，另外一側為金屬散熱片，與基極相連，以增加散熱能力，常見于硅功率表面組裝晶體管，適用于較高功率的場合。
K3918SOT143具有4條翼形短引腳，從兩側引出，引腳中寬度偏大的一端為集電極，這類封裝常見于高頻晶體管，外形如下圖(c)所示。
K3918SOT252屬于大功率晶體管，3條引腳從一側引出，中間一條引腳較短，為集電極，與另一端較大的引腳相連，該引腳為散熱作用的銅片。
K3918常見SOT封裝外形比較：主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
K3918SOT-89 MOSFET尺寸規(guī)格（單位：mm）

需要了解更多關于替代K3918應用11串mos管開關信息，請聯(lián)系我們的客戶經(jīng)理！
華鎂用“芯”為您服務-替代K3918應用11串mos管開關