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代換IRFB4110半導(dǎo)體-蘇州華鎂
參考價(jià) | ¥ 1000 |
訂貨量 | ≥1個(gè) |
- 公司名稱 蘇州華鎂憶芯半導(dǎo)體有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2022/4/23 9:30:58
- 訪問(wèn)次數(shù) 289
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產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣 |
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通道類型 | N | VX | 15-35-70-46-070 |
代換IRFB4110應(yīng)用角磨機(jī)mos管的參數(shù)封裝
IRFB4110TO封裝產(chǎn)品外觀
IRFB4110TO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝,常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝,是目前主流封裝之一。
IRFB4110采用該封裝方式的MOSFET有3個(gè)電極,柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。
IRFB4110其中漏極(D)的引腳被剪斷不用,而是使用背面的散熱板作漏極(D),直接焊接在PCB上,一方面用于輸出大電流,一方面通過(guò)PCB散熱;所以PCB的D-PAK焊盤有三處,漏極(D)焊盤較大。
IRFB4110TO-252/D-PAK封裝尺寸規(guī)格
IRFB4110TO-263是TO-220的一個(gè)變種,主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計(jì),支持*的電流和電壓,在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見(jiàn)。
IRFB4110除了D2PAK(TO-263AB)之外,還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式,與TO-263為從屬關(guān)系,主要是引出腳數(shù)量和距離不同。
代換IRFB4110常見(jiàn)問(wèn)題
IRFB4110J極電壓失效的預(yù)防措施:冊(cè)極和源極之間的過(guò)電壓保護(hù):如果柵極和源極之間的阻抗過(guò)高,漏極和源極之間電壓的突然變化將通過(guò)電極間電容耦合到柵極上,導(dǎo)致非常高的UGS壓超調(diào),從而導(dǎo)致柵極超調(diào)。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓,設(shè)備也可能導(dǎo)通錯(cuò)誤。為此,應(yīng)適當(dāng)降低柵極驅(qū)動(dòng)電路的阻抗,并在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)阻尼電阻或一個(gè)穩(wěn)壓約20V的調(diào)壓器。必須特別注意防止開(kāi)門操作。
非水管之間的過(guò)電壓保護(hù):如果電路中存在電感負(fù)載,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí),漏極電流(di/dt)的突然變化將導(dǎo)致漏極電壓超調(diào),這遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電源電壓,從而導(dǎo)致設(shè)備損壞。應(yīng)采取齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路等保護(hù)措施。
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