代換FDD6670應(yīng)用9串mos管開關(guān)封裝
FDD6670表面貼裝式封裝
FDD6670隨著技術(shù)的發(fā)展，目前主板、顯卡等的PCB板采用直插式封裝方式的越來越少，更多地選用了表面貼裝式封裝方式。
FDD66701、雙列直插式封裝（DIP）
FDD6670DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上，其派生方式為SDIP（Shrink DIP），即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。
FDD6670DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結(jié)構(gòu)式、陶瓷低熔玻璃封裝式）等。DIP封裝的特點(diǎn)是可以很方便地實(shí)現(xiàn)PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。
FDD6670但由于其封裝面積和厚度都比較大，而且引腳在插拔過程中很容易被損壞，可靠性較差；同時(shí)由于受工藝的影響，引腳一般都不超過100個(gè)，因此在電子產(chǎn)業(yè)高度集成化過程中，DIP封裝逐漸退出了歷史舞臺。
FDD66702、晶體管外形封裝（TO）
FDD6670屬于早期的封裝規(guī)格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封裝設(shè)計(jì)。
FDD6670TO-3P/247：是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，產(chǎn)品具有耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
FDD6670TO-220/220F：TO-220F是全塑封裝，裝到散熱器上時(shí)不必加絕緣墊；TO-220帶金屬片與中間腳相連，裝散熱器時(shí)要加絕緣墊。這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多，可以互換使用。
FDD6670TO-251：該封裝產(chǎn)品主要是為了降低成本和縮小產(chǎn)品體積，主要應(yīng)用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環(huán)境中。
FDD6670TO-92：該封裝只有低壓MOS管（電流10A以下、耐壓值60V以下）和高壓1N60/65在采用，目的是降低成本。
FDD6670近年來，由于插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產(chǎn)品，使得表面貼裝市場需求量不斷增大，也使得TO封裝發(fā)展到表面貼裝式封裝。TO-252（又稱之為D-PAK）和TO-263（D2PAK）就是表面貼裝封裝。

代換FDD6670常見問題

過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個(gè)轉(zhuǎn)變過程。
比如一個(gè) MOS 大電流 100a，電池電壓 96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺時(shí)）MOS 發(fā)熱功率是 P=V*I（此時(shí)電流已達(dá)大，負(fù)載尚未跑起來，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時(shí)它發(fā)熱功率大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到*導(dǎo)通時(shí)功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設(shè)這個(gè) MOS 導(dǎo)通內(nèi)阻 3 毫歐姆）。開關(guān)過程中這個(gè)發(fā)熱功率變化是驚人的。
如果開通時(shí)間慢，意味著發(fā)熱從 9600w 到 30w 過渡的慢，MOS 結(jié)溫會升高的厲害。所以開關(guān)越慢，結(jié)溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關(guān)損耗不一樣（開關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設(shè)限流一樣），導(dǎo)通損耗*受 MOS 內(nèi)阻決定，和電池電壓沒任何關(guān)系。
其實(shí)整個(gè) MOS 開通過程非常復(fù)雜。里面變量太多。總之就是開關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴(yán)重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關(guān)損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導(dǎo)通，形成上下臂短路。
所以這個(gè)很考驗(yàn)設(shè)計(jì)師的驅(qū)動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個(gè)平衡點(diǎn)（一般開通過程不超過 1us）。開通損耗這個(gè)簡單，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。

需要了解更多關(guān)于代換FDD6670半導(dǎo)體-蘇州華鎂開關(guān)信息，請聯(lián)系我們的客戶經(jīng)理！
華鎂用“芯”為您服務(wù)-代換FDD6670半導(dǎo)體-蘇州華鎂