美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能，以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。

3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項新技術將推動創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

電生理模塊：細胞電刺激、 電生理活動記錄、 電阻抗測量

細胞力－電耦合靈活：

★拉伸前中后進行電刺激以及電生理活動記錄分析

★拉伸前后電生理活動的比較（標準化）

★拉伸前中后阻抗定量測量：可選頻率、時間、電壓，實時圖形化測量，方便的cvs測量結果導出

電生理模塊

• 120通道控制器

• 60通道錄音和刺激（可升級至120通道）

• 與可拉伸和玻璃 MEA 兼容

生理拉伸，細胞在其健康范圍內拉伸：

干細胞分化為特定細胞類型受微環(huán)境因素的調節(jié)，例如化學因素、機械力和電場。指導干細胞分化的現有產品是單獨使用化學因子，或者與機械力或電場結合使用。MEASSURE 為研究人員提供了獨立操縱這三個因素的方法，這將允許在體內生成與現有方法相比更接近成熟器官的器官和組織，即它們將更接近地復制人體的復雜性.  

病理性拉伸，細胞拉伸超出其健康極限，造成創(chuàng)傷：

MEASSURE在體外受控環(huán)境中再現了神經外傷性損傷（外傷性腦損傷，TBI；脊髓損傷，SCI）或肌肉損傷的生物力學。可拉伸MEA中的電極與細胞/組織一起拉伸，即它們在拉伸之前、期間和之后保持與組織上的相同位置接觸。這種能力允許通過比較損傷后細胞與損傷前水平的電生理學（例如，信號幅度和頻率）來直接、直接地評估損傷細胞的損傷，即 MEASSURE 是一個篩選平臺，用于評估藥物和其他治療策略對神經外傷的療效.