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哈美頓(上海)實驗器材有限公司

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LT-GaAs 低溫砷化鎵基片外延生長定制

參考價1000-10000/臺
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 上海屹持光電技術有限公司
  • 品牌其他品牌
  • 型號LT-GaAs
  • 所在地上海市
  • 廠商性質代理商
  • 更新時間2025/3/12 11:58:58
  • 訪問次數(shù) 1568

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上海屹持光電技術有限公司致力于光電事業(yè)的發(fā)展,專業(yè)從事光學實驗室設備研究、開發(fā)、制造及銷售,憑借公司強大的技術力量和經濟實力,不斷開發(fā)出具有優(yōu)良技術水平的新產品。

  公司本著技術優(yōu)良、質量*、客戶*的原則為廣大用戶提供滿意的服務。






太赫茲,超快,激光器及調制測量設備

供貨周期 兩周 應用領域 環(huán)保,化工,電子/電池

LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料,其電子遷移率高、介電常數(shù)小,能引入深能級雜質、電子有效質量小,能帶結構特殊,可作外延片。

1、半導體光電子器件結構生長

我們可在GaAs砷化鎵基底上生長高質量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層,適用于不同應用。

2、低溫砷化鎵

對于某些應用需要快速響應裝置,例如光學探測器、可飽和吸收器 或光電導天線。我們提供低溫外延生長器件,響應時間短至1  ps。

我們可提供以下在GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的低溫砷化鎵。

低溫砷化鎵基片外延生長定制參數(shù)如下:

  • 砷化鎵晶片直徑:2" 或4"

  • 最大薄膜疊層厚度:5 μm

規(guī)格:

  • LT-GaAs-50.8:2"(50.8 mm)LT-GaAs晶片

  • LT-GaAs-100:4"(100 mm)LT-GaAs晶片

  • LT-InGaAs-100:4"(100  mm)LT-InGaAs晶圓片

  • LT-GaA-100-C:具有定制金屬結構的4"(100  mm)LT-GaAs晶圓片


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