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電力半導(dǎo)體全動(dòng)態(tài)測(cè)試臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 西安智盈電氣科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地 陜西省西安市灃東新城中興深藍(lán)科技產(chǎn)業(yè)園B2-2303室
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2025/8/15 10:45:39
  • 訪問次數(shù) 216
產(chǎn)品標(biāo)簽

半導(dǎo)體全動(dòng)態(tài)

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西安智盈電氣科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)

坐落于陜西省西安市高新區(qū)。

核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要有:

IGBT參數(shù)測(cè)試設(shè)備, MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備, 可控硅參數(shù)測(cè)試設(shè)備

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括IGSS / BVR / VDSSat / IDSS / VGSTH / VF / RDSon);動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);雪崩能力測(cè)試,老化及可靠性測(cè)試(HTRB / HTGB)。

IGBT參數(shù)測(cè)試設(shè)備:

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE);動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);老化及可靠性測(cè)試(HTRB / HTGB)。

二極管及可控硅/晶閘管(SCR)參數(shù)測(cè)試設(shè)備:

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL );動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試(Turn_on&off / Qrr_FRD);浪涌參數(shù)測(cè)試ITSM;di/dt測(cè)試;老化及可靠性測(cè)試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測(cè)試Rth。

產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。




IGBT測(cè)試儀,靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括IGSS / BVR / VDS(Sat) / IDSS / VGSTH / VF / RDS(on));動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg /

價(jià)格區(qū)間 10萬(wàn)-30萬(wàn) 應(yīng)用領(lǐng)域 電氣

該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中的專用測(cè)試設(shè)備。

該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成:
1)門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元
2)維持電流測(cè)試單元
3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元
4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元
5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元
6)擎住電流
7)門極電阻
8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
9)合格證標(biāo)簽打印
10)夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具
二、技術(shù)條件
主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測(cè)試單元IGT/VGT
1.陽(yáng)極電壓:12V;
2.陽(yáng)極串聯(lián)電阻:6Ω;
3.門極觸發(fā)電壓:0.3~5.00V±3%±10mV;
4.門極觸發(fā)電流:2~450mA±3%±1 mA;
2.2 維持電流測(cè)試單元IH
1. 陽(yáng)極電壓:12V;
2.預(yù)導(dǎo)通電流: >10A,正弦衰減波;
3.維持電流: 2~450mA ±5%±1 mA;
4.測(cè)試頻率:?jiǎn)未危?br/>2.3 通態(tài)壓降測(cè)試單元VTM
1.平板器件通態(tài)電流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;
2.模塊器件通態(tài)電流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;
3. 電流上升沿時(shí)間:≥5ms;
4. 通態(tài)壓降測(cè)試范圍: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%;
5. 測(cè)試頻率:?jiǎn)未危?br/>2.4 斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID;反向電壓/反向漏電流VR/IR測(cè)試單元
1.阻斷電壓:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;
模塊單元阻斷電壓:0.20~4.00kV
2. 正反向自動(dòng)測(cè)試:
3.正/反向漏電流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;
精度:±5%±1 mA;
4. 輸出保護(hù)電壓和電流可計(jì)算機(jī)設(shè)定范圍值;在測(cè)試時(shí)電壓或漏電流超過所 設(shè)定的范圍則自動(dòng)保護(hù)。
5. 測(cè)試頻率: 50HZ
2.5 斷態(tài)電壓臨界上升率測(cè)試單元dv/dt
1.電壓:1200V,1600V,2000V三檔,分辨率:1V,精度±5%;
2. 電壓過沖范圍:<50V±10%
3. DV/DT電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;
2.6 擎住電流IL:100-1800mA
2.7 平板夾具壓力范圍:6-60KN,氣動(dòng)加壓方式








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