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顯微紅外熱點(diǎn)定位測試系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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  武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業(yè)研發(fā),以力學(xué)試驗(yàn)機(jī)儀器為主,同時銷售各種、中低端分析儀器?,F(xiàn)有員工60多人,公司成功開發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗(yàn)軟件,并采用全數(shù)字化,操作簡捷,*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標(biāo)準(zhǔn)、國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求,公司亦通過了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國家計量體系認(rèn)證,榮獲了“武漢市第九界消費(fèi)者滿意單位”的稱號。
  產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子、高校、政府研究機(jī)構(gòu)、環(huán)保機(jī)構(gòu)、石油化工、紡織制造、第三方檢測機(jī)構(gòu)、*別研究院、新能源、集成電路、芯片、封裝測試、半導(dǎo)體行業(yè)、顯示器領(lǐng)域、光電材料、鋰電池、機(jī)械生產(chǎn)等領(lǐng)域。并與武漢理工大學(xué)、華中科技大學(xué)等建立了長期合作,每年投入大量研究經(jīng)費(fèi),招攬各方優(yōu)秀的技術(shù)人才加盟突破國內(nèi)技術(shù)壁壘,不斷攻克新的技術(shù)難題,另外公司還積極拓展海外業(yè)務(wù),產(chǎn)品遠(yuǎn)銷越南,印度,埃及等國家和地區(qū)。
  本著“專業(yè)品質(zhì),專業(yè)服務(wù)”為宗旨,以“科技、品質(zhì)、競爭、創(chuàng)新”為理念,通過不斷汲取新的技術(shù),新的理念,繼續(xù)開發(fā)研制新產(chǎn)品,并為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的售前,售中,售后服務(wù)。熱烈歡迎廣大新老朋友業(yè)函,來電,蒞臨我公司參觀指導(dǎo)!


 

實(shí)驗(yàn)室檢測儀器,測試儀器設(shè)備等

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工

顯微紅外熱點(diǎn)定位測試系統(tǒng)

原理

微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是利用高增益相機(jī)/探測器來檢測由某些半導(dǎo)體器件缺陷/失效發(fā)出的微量光子的一種設(shè)備。

當(dāng)對樣品施加適當(dāng)電壓時,其失效點(diǎn)會因加速載流子散射或電子-空穴對的復(fù)合而釋放特定波長的光子。這些光子經(jīng)過收集和圖像處理后,就可以得到一張信號圖。撤去對樣品施加的電壓后,再收集一張背景圖,把信號圖和背景圖疊加之后,就可以定位發(fā)光點(diǎn)的位置,從而實(shí)現(xiàn)對失效點(diǎn)的定位。


LED燈珠發(fā)光均勻度測試

對于LED光源,特別是白光光源,由于電極設(shè)計、芯片結(jié)構(gòu)以及熒光粉涂敷方式等影響,其表面的亮度和顏色并不是均勻分布的。實(shí)驗(yàn)室顯微光分布測試系統(tǒng),方便客戶了解燈珠發(fā)光均勻度性能,認(rèn)清改進(jìn)設(shè)計的方向。

如下圖所示,COB燈珠在點(diǎn)亮?xí)r,顯微 光分布測試系統(tǒng)測得該燈珠光分布不均,發(fā)光質(zhì)量較差,燈珠右邊區(qū)域亮度相比左邊區(qū)域低30%。分析其原因,燈珠基板的電阻不均勻,導(dǎo)致燈珠左右兩邊的芯片所加載的電壓不一致,造成燈珠左右兩邊芯片的發(fā)光強(qiáng)度出現(xiàn)差異。

案例分析三:

某芯片公司需對其芯片產(chǎn)品進(jìn)行光品質(zhì)評估,實(shí)驗(yàn)室在定電流下(30mA、60mA、90mA)對芯片進(jìn)行LED芯片發(fā)光均勻度測試。工程師利用自主研發(fā)的芯片顯微 光分布測試系統(tǒng)對客戶送測LED芯片點(diǎn)亮測試。


點(diǎn)亮條件:30mA、60mA、90mA

測試環(huán)境溫度:20~25℃/40~60%RH。

測試結(jié)果見下圖所示,可知在不同電流下,LED芯片發(fā)光分布區(qū)別明顯,其中60mA為廠家推薦使用電流。

顯微紅外熱點(diǎn)定位測試系統(tǒng)

在額定電流為60mA測試。通過顯微 光分布測試系統(tǒng)測試發(fā)現(xiàn),該芯片在額定電流下工作,芯片是存在發(fā)光不均勻的現(xiàn)象。通過光強(qiáng)標(biāo)尺比較,其負(fù)極附近區(qū)域比正極負(fù)極區(qū)域發(fā)光強(qiáng)度高15%左右。建議針對芯片電極設(shè)計做適當(dāng)優(yōu)化,以提高發(fā)光效率和產(chǎn)品可靠性。

該芯片不同電流下(30mA、60mA、90mA)都存在發(fā)光不均的現(xiàn)象,芯片正極區(qū)域光強(qiáng)明顯低于負(fù)極區(qū)域光強(qiáng)。通過統(tǒng)一的亮度標(biāo)尺比較,當(dāng)芯片超電流(90mA)使用時,顯微光分布測試系統(tǒng)測試,我們發(fā)現(xiàn)過多的電流并沒有是芯片更亮,反而亮度減弱。


4.3D圖顯示芯片的出光率、燈珠燈具的光線追跡

關(guān)于芯片的主要研究集中在如何提高內(nèi)外量效率和光提取效率方面,芯片襯底圖形化設(shè)計、隱形切割工藝等都可以提高芯片光提取效率,然而芯片廠內(nèi)對于光提取效率的測試手段少之又少,顯微光分布軟件3D測試模塊可以觀察芯片各區(qū)域的出光強(qiáng)度,進(jìn)而評估芯片的光提取效率,填補(bǔ)這一空白。

以下為某款倒裝芯片的3D光分布圖,芯片出光面光分布圖表現(xiàn)為凹凸不平的鋸齒狀,這是因?yàn)樵撔酒捎昧藞D形化襯底,改變了全反射光的出射角,增加了該倒裝芯片的光從藍(lán)寶石襯底出射的幾率,從而提高了光的提取效率,使得芯片出光面的出光強(qiáng)度大小不一。

如芯片的側(cè)面光學(xué)圖所示,該芯片采用了多刀隱切工藝,芯片側(cè)面非常粗糙,粗糙界面可以反射芯片側(cè)面出射的光,提高芯片的光提取效率。從該芯片的3D光分布圖中可以直觀的看到,該芯片邊緣出光較多,說明多刀隱切工藝對芯片出光效率的提升顯著。但是,芯片邊緣出光強(qiáng)度并不均勻,表明該多刀隱切工藝仍有優(yōu)化的空間,可以進(jìn)一步提高芯片的光提取效率。

5.LED失效分析

顯微 光分布測試系統(tǒng)除了能幫助研發(fā)人員優(yōu)化芯片設(shè)計,還是用于品質(zhì)分析的神兵利器。光學(xué)性能是LED光源最主要的性能,當(dāng)其出現(xiàn)失效時,必然會在光學(xué)性能上表現(xiàn)出異常,通過顯微光分布測試系統(tǒng)我們可以輕松的發(fā)現(xiàn)其光學(xué)性能的變化,從而準(zhǔn)確定位失效點(diǎn),大大提高了客訴時效性。





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