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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>常用儀表>測量儀表>其它測量儀表>HUSTEC-1600A-MT SiC器件測試儀/設(shè)備

HUSTEC-1600A-MT SiC器件測試儀/設(shè)備

參考價(jià) 1
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 深圳市華科智源科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) HUSTEC-1600A-MT
  • 產(chǎn)地 深圳市寶安區(qū)航城街道恒豐工業(yè)城C4棟816
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2025/7/16 15:34:52
  • 訪問次數(shù) 68
產(chǎn)品標(biāo)簽

MOS管測試儀MOS管測試設(shè)備

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深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù),坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀,MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,在線式檢修用IGBT測試儀,變頻器檢修用IGBT測試儀,IGBT模塊測試儀,軌道交通檢修用IGBT測試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測試設(shè)備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;

IGBT測試儀,IGBT測試儀設(shè)備,大功率IGBT測試儀,大功率IGBT測試設(shè)備,IGBT測試儀系統(tǒng),IGBT靜態(tài)測試儀,IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,SIC測試儀

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 外形尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)mm
應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,汽車及零部件 重量 30kg

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

SiC器件測試儀/設(shè)備


一:SiC器件測試儀/設(shè)備主要特點(diǎn)

     華科智源HUSTEC-1600A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試1200A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;


測試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/span>

整個(gè)測試過程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。


二:應(yīng)用范圍

A:IGBT單管及模塊,

B:大功率場效應(yīng)管(Mosfet)

C:大功率二極管

D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測


三、系統(tǒng)特征:

A:測量多種IGBT、MOS管

B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;

C:脈沖寬度 50uS~300uS

D:Vce測量精度2mV

E:Vce測量范圍>10V    

F:電腦圖形顯示界面

G:智能保護(hù)被測量器件

H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比,觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比;




序號(hào)

測試項(xiàng)目

描述

測量范圍

分辨率

精度

1

VF

二極管正向?qū)▔航?/span>

0~20V

1mV

±1%,±1mV

2

IF

二極管正向?qū)娏?/span>

0~1200A

≤200A時(shí),0.1A

≤200A時(shí),±1%±0.1A

3

>200A時(shí),1A

>200A時(shí),±1%

4

Vces

集電極-發(fā)射極電壓

0~5000V

1V

±1%,±1V

5

Ic

通態(tài)集電極電流

0~1200A

≤200A時(shí),0.1A

≤200A時(shí),±1%±0.1A

6

>200A時(shí),1A

>200A時(shí),±1%

7

Ices

集電極-發(fā)射極漏電流

0~50mA

1nA

±1%,±10μA

8

Vgeth

柵極-發(fā)射極閾值電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

9

Vcesat

集電極-發(fā)射極飽和電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0~10uA

1nA

±2%,±1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發(fā)射極電壓

0~40V

1mV

±1%,±1mV




























































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