光伏半導體超純水制備

多晶硅超純水設備

主要用在多晶硅片清洗中，多晶硅片,半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電,顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會導致各種缺陷。

　　為什么光伏行業(yè)晶體管、半導體集成電路清洗一定要用超純水

在晶體管、集成電路生產中，純水主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制，硅片氧化的水汽源，部分設備的冷卻水，配制電鍍液等。集成電路生產過程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片，水質的好壞與集成電路的產品質量及生產成品率關系很大。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會使PN結耐壓降低，Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會使N型半導體特性惡化，Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會使P型半導體特性惡化，水中細菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會使P型硅片上的局部區(qū)域變?yōu)?/span>N型硅而導致器件性能變壞，水中的顆粒(包括細菌)如吸附在硅片表面，就會引起電路短路或特性變差。集成電路(DRAM)集成度16K的要求是電阻率16兆歐以上，集成電路(DRAM)集成度64K的要求是電阻率16兆歐以上，集成電路(DRAM)集成度256K的要求是電阻率≥17 MΩ•cm，集成電路(DRAM)集成度1M的要求電阻率≥18MΩ•cm，集成電路(DRAM)集成度4M的要求電阻率≥18MΩ•cm，集成電路(DRAM)集成度16M的要求電阻率≥18.2MΩ•cm。

執(zhí)行標準

　　JBT 7621-1994 電力半導體器件工藝用高純水

　　GBT11446.1-2013電子級超純水中國國家標準

　　GB6682-2000中國國家實驗室用水GB6682-2000

　　ASTM D5127-2007美國電子和半導體水質標準

　　GB/T 11446.3——1997 電子級水測試方法通則

　　GB/T 11446.4——l997 電子級水電阻率的測試方法

　　GB/T 11446.5——1997 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法

　　GB/T 11446.6——1997 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法

　　GB/T 11446.7——1997 電子級水中痕量氯離子、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的離子色譜測試方法

　　GB/T 11446.8——1997 電子級水中總有機碳的測試方法

　　GB/T 11446.9——1997 電子級水中微粒的儀器測試方法

　　GB/T 11446.10——1997 電子級水細菌總數的濾膜培養(yǎng)測試方法

　　我司整合了國nei外先進的工藝及技術，采用預處理+雙級反滲透+EDI+雙級拋光混床+終端濾器。

　　超純水一方面在于制水工藝，另外一個重要的方面在于超純水的輸送，我司采用PVDF材質管道，保證終端用水點的水質達到使用要求。

光伏半導體超純水制備