1. 產(chǎn)品概述

RIE-200NL是一種負載鎖定型的反應離子蝕刻系統(tǒng)，它提高了工藝的可重復性，并允許腐蝕性氣體化學。優(yōu)化的工藝室設計可在?8 "晶圓或?220mm小晶圓的載盤上提供優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)可實現(xiàn)精確的側壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。RIE-200NL設計時尚、緊湊，只需小的潔凈室空間。

2. 設備用途/原理

大加工范圍：?220 mm (?3" x 5, ?4" x 3, ?8" x 1)。對稱的排空設計提高了蝕刻的均勻性。工藝室通過負荷鎖定室與環(huán)境隔離，提高了工藝的可重復性，并可進行腐蝕性氣體的化學反應。計算機觸摸屏為參數(shù)控制和存儲提供了一個用戶友好的界面。自動壓力控制，可精確控制工藝壓力，不受氣體流量影響。干式泵和系統(tǒng)布局便于維護。RIE-200NL設計時尚、緊湊，只需小的潔凈室空間。

3. 設備特點

GaN、GaAs、InP等化合物半導體的氯基蝕刻。各種材料的蝕刻，如Si、SiO2、SiN、Poly-Si、Al、Mo、Pt、Polyimide等。故障分析中的選擇性層蝕刻。