1. 產(chǎn)品概述

該清洗機設(shè)計得精密而高效，能夠全面滿足對晶圓表面、背面及邊緣的清洗需求。借助于創(chuàng)新研發(fā)的二流體噴嘴技術(shù)，該設(shè)備能效率去除附著在晶圓表面的微小顆粒污染物。這一技術(shù)的突破使得清洗過程不僅迅速，確保晶圓在進入下一工序之前達到預(yù)期的潔凈度。

為了實現(xiàn)*清洗效果，工程師們通過大量仿真試驗與實際工藝實驗相結(jié)合，優(yōu)化了清洗工藝的各項參數(shù)。這種科學的調(diào)試過程能夠精確控制清洗強度和時間，有效避免對晶圓表面圖形造成潛在損傷，確保精密制造的需求得以滿足。

針對微米級別的大顆粒污染物，清洗機配置了采用特殊材料制成的毛刷和高壓噴淋裝置，通過物理刷洗與高壓水流相結(jié)合的方式，有效去除附著在晶圓表面的頑固污垢。這種多方位的清洗手段，使得清洗過程變得更為高效和全面。

2. 產(chǎn)品優(yōu)勢：

機臺可采用防靜電管路，防止水中靜電荷到達晶圓表面，對圖形造成破壞
翻轉(zhuǎn)單元接觸點少，減小了與晶圓的接觸面積
所有表都為數(shù)字顯示，數(shù)據(jù)上傳工控機方便追溯
機臺優(yōu)化傳輸路徑，產(chǎn)能大幅提升
軟件客制化，界面友好，可按照客戶要求更改
更高效的FFU
售后服務(wù)：響應(yīng)快，當?shù)伛v廠服務(wù)（7X24小時）
支持工廠自動化

3. 應(yīng)用域：

晶片爐管后清洗
化學氣相沉積（CVD）后的清洗
物理氣相沉積（PVD）后的清洗
化學機械拋光（CMP）后的清洗，后段干法刻蝕后的清洗

特殊工藝要求晶圓背部及晶圓邊緣的清洗