產(chǎn)品信息

測量項目

測量橢圓參數(shù)（TANψ，COSΔ）

光學常數(shù)（n：折射率，k：消光系數(shù)）分析

薄膜厚度分析

用途

半導體晶圓
柵氧化膜，氮化膜
SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN
光學常數(shù)（波長色散）

復合半導體
AlxGa（1-x）多層膜、非晶硅

FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO、MgO等

各種新材料
DLC（類金剛石碳）、超導薄膜、磁頭薄膜

光學薄膜
TiO2，SiO2多層膜、防反射膜、反射膜

光刻領域
g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）和KrF（248nm）等波長的n、k評估

原理

包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù)，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。

產(chǎn)品規(guī)格

*1可以驅動偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸?角度。
*3對應微小點（可選）
*4它是使用VLSI標準SiO2膜（100nm）時的值。
*5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇。
*6光源因測量波長而異。
*7選擇自動平臺時的值。

測量示例

以梯度模型分析ITO結構[FE-0006]

作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO（氧化銦錫），在成膜后的退火處理（熱處理）可改善其導電性和色調。此時，氧氣狀態(tài)和結晶度也發(fā)生變化，但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的，不能將其視為具有光學均勻組成的單層膜。
以下介紹對于這種類型的ITO，通過使用梯度模型，從上界面和下界面的nk測量斜率。

考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]

當樣品表面存在粗糙度（Roughness）時，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層”，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。

使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]

有機EL材料易受氧氣和水分的影響，并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質和損壞。因此，在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。

使用多點相同分析測量未知的超薄nk[FE-0014]

為了通過擬合最小二乘法來分析膜厚度值（d）需要材料nk。如果nk未知，則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下，d和nk是無法分離的，因此精度將降低并且將無法求出精確的d。在這種情況下，測量不同d的多個樣本，假設nk是相同的，并進行同時分析（多點相同分析），則可以高精度、精確地求出nk和d。