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makeway 近常壓X射線光電子能譜儀

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上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導(dǎo)體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應(yīng)商,所銷售的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設(shè)立分公司和辦事處,快速響應(yīng)客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設(shè)立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司主要銷售產(chǎn)品包括:  - 霍爾效應(yīng)測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結(jié)爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機,熱蒸發(fā)鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強原子層沉積設(shè)備;  - 電化學(xué)C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學(xué)膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓??;-等離子清洗機、去膠機;-反應(yīng)離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發(fā)機,化學(xué)沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業(yè)客戶:華為技術(shù)有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術(shù), 安徽格恩半導(dǎo)體, 蘇州稀晶半導(dǎo)體科技, 矽品半導(dǎo)體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(shù)(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導(dǎo)體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風(fēng)華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導(dǎo)體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學(xué), 汕頭大學(xué), 南方醫(yī)科大學(xué), 清華大學(xué), 北京大學(xué), 復(fù)旦大學(xué), 西北工業(yè)大學(xué), 南京醫(yī)科大學(xué), 香港中文大學(xué), 香港城市大學(xué), 蘇州大學(xué), 深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院, 南京大學(xué)合肥國家試驗室, 上海交通大學(xué)醫(yī)學(xué)院, 華南理工大學(xué),華東師范大學(xué),江南大學(xué),重慶26所, 深圳大學(xué), 南方科技大學(xué), 深圳技術(shù)大學(xué), 理化技術(shù)研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學(xué), 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農(nóng)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導(dǎo)體設(shè)備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

價格區(qū)間 面議 儀器種類 進口
應(yīng)用領(lǐng)域 綜合

技術(shù)參數(shù)

1近常壓XPS真空系統(tǒng),包含分析腔和快速進樣腔

1.1 分析腔采用μ金屬腔體或不銹鋼腔體加消磁線圈

1.2 分析腔配備分子泵以及前級泵,真空≤5×10-9 mbar

1.3 快速進樣腔采用不銹鋼腔體

1.4 快速進樣腔配備分子泵和前級泵,真空≤5×10-8 mbar

2電子能量分析器

*2.1 半球型,平均半徑150 mm

*2.2四級差分抽氣系統(tǒng),一級和二級差分抽氣之間配有閥門,可以實現(xiàn)真空腔體進氣時保證分析器的真空度

2.3工作壓力最大可達25 mbar

*2.4分析器接收角:≥44o

2.5 工作距離 300-500μm

2.6 八個入口狹縫,三個出口狹縫

2.7 能量分辨率 ≤10 meV

*2.8探測能量范圍可達3.5 keV

*2.9 Ag 3d峰計數(shù)率(在AlX光源束斑≤250 μm, 20 W條件下):

   ≥70 kcpsUHV條件;≥7 kcps 10 mbar N2條件;≥0.5 kcps25 mbar N2條件

*2.10 配有一維探測器(ADCMOS

3 單色化陽極靶微聚焦X射線光源

*3.1 類型:單色化Al/Ag/Cr三陽極

*3.2工作范圍:10-10 – 25 mbar

3.3 Al靶光斑尺寸: ≤ 200 μm

3.4 Al靶光通量≥1.0x1010 photons /s; Ag靶光通量≥1.0x109 photons/s,Cr靶光通量≥1.0x1010 photos/s

3.5 配有差抽系統(tǒng)

3.6 配套水冷機組,最大水壓可達9 bar

4 進氣氣路

4.1配有三路進氣管路系統(tǒng),配備質(zhì)量流量計,用于氣體通入

4.2帶有自動壓力控制,壓力范圍:1-30 mbar

5 分析腔四軸全自動樣品架

5.1四軸樣品架移動范圍:

   X = ±12.5 mm

   Y = ±12.5 mm

   Z 方向范圍隨系統(tǒng)配置

   P = ±180° polar(極角)

5.2 四軸全自動化馬達

*5.3配備150 W紅外激光加熱器,在25 mbar N2條件下,樣品溫度最高可達1000 ℃

5.5 配有液氮冷卻,樣品溫度可到150 K

6. 紫外光源

6.1 束流密度>2x1016 photons/(sec x sterad)

*6.1 能量分辨率:FWHM2meV

6.3 可用氣體:He、NeAr

6.4 樣品上束斑尺寸:<500μm

*6.5 可在近常壓環(huán)境下進行UPS測試;




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