碳化硅氮化鎵氧化鎵晶圓厚度TTV測試儀
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/6/26 11:40:24
- 訪問次數(shù) 326
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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,航空航天,制藥/生物制藥,電氣,綜合 |
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碳化硅晶圓厚度指基板上下表面間的垂直距離，需通過激光干涉儀或接觸式測厚儀進(jìn)行精確測量。國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會（SEMI）已建立相關(guān)測量標(biāo)準(zhǔn)，確保不同供應(yīng)商產(chǎn)品的參數(shù)可比性碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等，具體取決于其應(yīng)用場景和制造工藝。例如，碳化硅晶圓片的厚度可以達(dá)到130微米（um），而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm、3-5mm等多種規(guī)格?12。
碳化硅在不同應(yīng)用中的厚度要求
?晶圓片?：碳化硅晶圓片厚度僅為130um，這表明在高性能電子設(shè)備中，更薄的碳化硅材料有助于提高效率和性能?1。
?顆粒?：碳化硅顆粒的尺寸有多種規(guī)格，如1-3mm、3-5mm等，適用于不同的工業(yè)應(yīng)用?23。
碳化硅厚度的測量方法和標(biāo)準(zhǔn)
碳化硅厚度的測量通常采用精密的測量儀器，如顯微鏡、掃描電子顯微鏡（SEM）等。測量標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)具體應(yīng)用場景而定，通常需要達(dá)到一定的精度和均勻性要
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