一、核心功能與工藝定位
濕法去膠機(jī)是半導(dǎo)體制造前道工藝（如光刻、刻蝕）與后道封裝環(huán)節(jié)的重要設(shè)備，主要用于去除晶圓表面的光刻膠（Photoresist）。其通過化學(xué)溶劑溶解、超聲振動或噴淋沖洗等物理化學(xué)結(jié)合的方式，高效清除殘留膠體及衍生物，確保晶圓表面潔凈度滿足后續(xù)制程要求。在制程中，去膠效果直接影響圖形轉(zhuǎn)移精度、層間附著力及電學(xué)性能，是保障芯片良率的關(guān)鍵步驟。

二、技術(shù)原理與分類

化學(xué)溶劑體系

有機(jī)溶劑：常用N-甲基吡咯烷酮（NMP）、丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或臭氧水（環(huán)保型），通過溶解光刻膠的聚合物鏈實(shí)現(xiàn)去除。

添加劑調(diào)控：加入表面活性劑增強(qiáng)潤濕性，或通過pH調(diào)節(jié)控制腐蝕速率（如針對含金屬的光刻膠）。

去膠方式

浸泡式：晶圓浸入溶劑槽，適用于小尺寸或低產(chǎn)能需求，但易受污染。

噴淋式：高壓噴淋實(shí)現(xiàn)均勻覆蓋，適合大尺寸晶圓（如12英寸），配合旋轉(zhuǎn)晶舟提升邊緣清洗效果。

超聲波輔助：兆聲波（1-3MHz）空化效應(yīng)增強(qiáng)膠體剝離，用于頑固膠渣或高深寬比結(jié)構(gòu)。

三、關(guān)鍵性能指標(biāo)

四、應(yīng)用場景與工藝挑戰(zhàn)

前段光刻工藝：需去除正性或負(fù)性光刻膠，避免殘留導(dǎo)致圖形畸變或刻蝕不均。

后端封裝環(huán)節(jié)：去除切割后芯片表面的保護(hù)膠，防止封裝界面分層。

制程難點(diǎn)：

高深寬比結(jié)構(gòu)：如FinFET器件的狹窄溝槽，需兆聲波+化學(xué)腐蝕協(xié)同處理。

低k介質(zhì)兼容性：去膠液需避免損傷多孔低介電材料（如SiOC）。

環(huán)保壓力：傳統(tǒng)NMP溶劑毒性高，推動水性或生物降解溶劑研發(fā)。