產(chǎn)品型號(hào)
| 型號(hào) | 光譜范圍 | 最大測(cè)量功率1 | 最小測(cè)量功率2 |
| 818-UV/DB光學(xué)功率探測(cè)器，UV硅，200-1100 nm，DB15 校準(zhǔn)模塊 | 200 – 1100 nm | 1500 mW | 20 pW |
| 818-SL/DB光學(xué)功率探測(cè)器，硅，400-1100 nm，DB15 校準(zhǔn)模塊 | 400 – 1100 nm | 2000 mW | 20 pW |
| 818-IR/DB光學(xué)功率探測(cè)器，鍺，780-1800 nm，DB15 校準(zhǔn)模塊 | 780 – 1800 nm | 2000 mW | 5 nW |
| 818-IG/DB光學(xué)功率探測(cè)器，銦鎵砷，800-1650 nm，DB15 校準(zhǔn)模塊 | 800 – 1650 nm | 2000 mW | 20 pW |
注釋:
與 1830-R、1918-R、1936-R 或者 2936-R 臺(tái)式光功率計(jì)一起使用時(shí)。
與 1936-R 或者 2936-R 臺(tái)式光功率計(jì)一起使用時(shí)。
產(chǎn)品規(guī)格
| 型號(hào) | 818-UV/DB | 818-SL/DB | 818-IR/DB | 818-IG/DB |
| 探測(cè)器類型 | Post Mounted | Post Mounted | Post Mounted | Post Mounted |
| 探測(cè)器輸入 | Free Space | Free Space | Free Space | Free Space |
| 探頭的材質(zhì) | UV Enhanced Silicon | Silicon | Germanium | Indium Gallium Arsenide |
| 光譜范圍 | 200 – 1100 nm | 400 – 1100 nm | 780 – 1800 nm | 800 – 1650 nm |
| 通光孔徑 | ?10.3 mm | ?10.3 mm | ?10.3 mm | ?10.3 mm |
| 感光尺寸 | 10 x 10 mm | ?11.3 mm | ?3 mm | ?3 mm |
| 衰減片 | OD3, Threaded | OD3, Threaded | OD3, Threaded | OD3, Threaded |
| 最大測(cè)量功率 | 1500 mW | 2000 mW | 2000 mW | 2000 mW |
| 不帶衰減片的最大可測(cè)量功率 | 5 mW (200 – 400 nm); 2.5 mW (400 – 600 nm, >1050 nm) , 1.5 mW (600 – 1050 nm) | 4 mW with 1830-R and 1936-R, 2.5 mW with 843-R, 1919-R, and 841-PE-USB | 10 mW (1918-R, 1936-R/2936-R), 1.3 mW (843-R, 1919-R, 841-PE-USB) | 10 mW (1830-R, 1918-R, 1936-R/2936-R), 1.3 mW (843-R, 1919-R, 841-PE-USB) |
| 最小測(cè)量功率 | 20 pW | 20 pW | 5 nW | 20 pW |
| 最大功率密度 | 30 W/cm2 | 30 W/cm2 | 30 W/cm2 | 30 W/cm2 |
| 最大功率密度（無(wú)衰減器） | 0.2 W/cm2 | 3 W/cm2 | 3 W/cm2 | 3 W/cm2 |
| 最大脈沖能量 | 400 µJ | 60 µJ | 60 µJ | |
| 不帶衰減片的最大脈沖能量 | 0.4 µJ | 60 nJ | 60 nJ | 60 nJ |
| 線性度 | ±0.5 % | ±0.5 % | ±0.5 % | ±0.5 % |
| 均勻性 | ±2 % over ?2 mm with attenuator, ±2 % over ?4 mm without attenuator | ±2 % | ±2 % | ±2 % @ 1550 nm |
| 上升時(shí)間 | 3 µs | ≤2 µs | ≤2 µs | ≤2 µs |
| 校準(zhǔn)模塊 | Removable DB15 Connector | Removable DB15 Connector | Removable DB15 Connector | |
| 連接器類型 | DB15 | DB15 | DB15 | DB15 |
| 電纜長(zhǎng)度 | 1.5 m | 1.5 m | 1.5 m | 1.5 m |
特征
優(yōu)良的光電二極管線性度
這些光電二極管在大動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)具有良好的線性。這非常適用于需要高精度測(cè)量至pW級(jí)的應(yīng)用，尤其是與能夠適應(yīng)光信號(hào)大動(dòng)態(tài)范圍的高靈敏度功率計(jì)結(jié)合時(shí)使用。
響應(yīng)速度隨溫度的變化
光電二極管的一個(gè)自然特性是其光學(xué)響應(yīng)隨半導(dǎo)體材料帶隙附近的溫度變化而變化。Newport的918D系列傳感器在光電二極管附近有一個(gè)熱電偶，它允許特定的Newport儀表讀取溫度并自動(dòng)調(diào)整響應(yīng)速度，確保超精確的測(cè)量。
影響最大可測(cè)量功率的因素
光電二極管傳感器的最大可測(cè)量功率取決于多種因素，例如入射光的波長(zhǎng)、光電二極管電流輸出飽和度、溫度、衰減器的使用和功率計(jì)的最大電流輸入值。 Newport 提供基于功率計(jì)型號(hào)的最大功率規(guī)格，帶或不帶衰減器，以及與波長(zhǎng)相關(guān)的最大功率電平。 考慮到這些影響可測(cè)量功率的因素，為您的應(yīng)用選擇合適的探測(cè)器至關(guān)重要。
超嚴(yán)格的校準(zhǔn)不確定性
918D 系列包括一個(gè)采用 NIST 可追溯標(biāo)準(zhǔn)，利用 Newport 光學(xué)探頭校準(zhǔn)設(shè)施維護(hù)的高精度設(shè)備完成的全光譜響應(yīng)校準(zhǔn)。嚴(yán)格的校準(zhǔn)設(shè)備和過(guò)程控制可實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)嚴(yán)格的校準(zhǔn)不確定性。每個(gè)探頭都附有校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)以電子形式存儲(chǔ)在探測(cè)器的 EEPROM 中。每個(gè)探頭都附有校準(zhǔn)證書以及衰減器模式和無(wú)衰減器模式下的實(shí)際校準(zhǔn)曲線和數(shù)據(jù)。為了保持精度、保證性能，Newport 建議每年對(duì)光電二極管探頭進(jìn)行校準(zhǔn)。
探測(cè)器校準(zhǔn)系統(tǒng)框圖
寬動(dòng)態(tài)范圍（具有內(nèi)置衰減器）
的OD3 衰減技術(shù)將我們探測(cè)器的校準(zhǔn)光學(xué)動(dòng)態(tài)范圍擴(kuò)展了三個(gè)數(shù)量級(jí)。我們的衰減器設(shè)計(jì)提供高損傷閾值和光譜平坦度。通過(guò)與 Newport 正在使用的光電二極管相關(guān)聯(lián)的低 NEP，實(shí)現(xiàn)了更寬的動(dòng)態(tài)范圍。對(duì)于小于 1 mW 的輸入功率，我們建議將衰減器置于 OFF 位置（對(duì)于 918D-UV-OD3R 在 200 – 400 nm 之間則為 0.1 mW），使信噪比達(dá)到最大。該衰減器的通光孔徑為 10.3mm。
可拆卸OD3衰減片
對(duì)于小于1 mW的輸入功率（或?qū)τ?00-400 nm之間的818-UV/DB，為0.1 mW），建議通過(guò)從探頭上擰下OD3衰減片以超大化信噪比。
關(guān)于探測(cè)器接頭的注意事項(xiàng)
818 系列探頭帶有可拆卸校準(zhǔn)模塊的 BNC 連接器。/DB 后綴表示 DB15 樣式校準(zhǔn)模塊，該模塊與 Newport 的當(dāng)前功率計(jì)直接兼容。帶有 /CM 后綴的型號(hào)（僅在購(gòu)買時(shí)可離線使用）附帶傳統(tǒng)的 8 針 迷你 DIN 模塊。BNC 連接器型號(hào) 818-xx 不再可用。購(gòu)買 818-xx/DB 時(shí)，只需簡(jiǎn)單拆除校準(zhǔn)模塊。
光纖應(yīng)用適配器
這些光電二極管傳感器可以轉(zhuǎn)換為測(cè)量連接光纖或裸光纖的光功率。Newport提供了一套全面的旋入式光纖轉(zhuǎn)接件可匹配多種連接器類型。我們的裸光纖支架和轉(zhuǎn)接件支架設(shè)計(jì)在一起，可容納250-µm裸光纖，并且不會(huì)損壞光纖。
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