通過(guò)高精度、可重復(fù)的熱瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)和結(jié)構(gòu)功能分析，對(duì)封裝半導(dǎo)體器件進(jìn)行熱表征。

為何選擇Simcenter Micred T3STER？

Simcenter Micred T3STER是一款的無(wú)損瞬態(tài)熱測(cè)試器，通過(guò)測(cè)試施工現(xiàn)場(chǎng)的元件，對(duì)封裝半導(dǎo)體裝置（二極管、雙極型晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵雙極晶體管、電源LED指示燈）和多晶片裝置進(jìn)行熱特性分析。該測(cè)試器能夠比穩(wěn)態(tài)方法更有效地測(cè)量真正的熱瞬態(tài)響應(yīng)。測(cè)量結(jié)果偏差最多為±0.01°C，而解算時(shí)間最多為1 微秒，因此可產(chǎn)生精確的熱測(cè)量值。結(jié)構(gòu)函數(shù)對(duì)響應(yīng)進(jìn)行后處理，將其繪圖以顯示封裝特征在熱流通道上的熱阻值和電容量。Simcenter Micred T3STER是一款理想的前處理和后處理應(yīng)力失效檢測(cè)工具。測(cè)量結(jié)果可導(dǎo)出用于熱模型校準(zhǔn)，從而增強(qiáng)熱設(shè)計(jì)工作的準(zhǔn)確性。

只需一次測(cè)試即可更快地獲得結(jié)果

Simcenter Micred T3STER易于使用且快速。其產(chǎn)生可重復(fù)的結(jié)果，因此每項(xiàng)測(cè)試只需要執(zhí)行一次。Simcenter Micred T3STER僅使用電氣連接對(duì)封裝IC進(jìn)行供電和檢測(cè)測(cè)試，提供快速可重復(fù)的結(jié)果，并且無(wú)需對(duì)同一器件進(jìn)行多次測(cè)試。部件可原位進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果可用作緊湊的熱模型或校準(zhǔn)詳細(xì)模型。

測(cè)試所有類型的封裝半導(dǎo)體

實(shí)際上，所有類型的封裝半導(dǎo)體都可以進(jìn)行測(cè)試，從功率二極管和晶體管到大型且高度復(fù)雜的數(shù)字IC，包括安裝在電路板上的部件，甚至封裝到產(chǎn)品中。簡(jiǎn)而言之，將功率脈沖注入部件中，并非常準(zhǔn)確地記錄其溫度響應(yīng)隨時(shí)間的變化。半導(dǎo)體本身既用于為零件供電，也用于使用芯片表面上的溫度敏感參數(shù)（例如晶體管或二極管結(jié)構(gòu)）檢測(cè)溫度響應(yīng)。

訪問(wèn)可靠的軟件

Simcenter Micred T3STER隨附的軟件為相關(guān)解算方案帶來(lái)了許多價(jià)值。這是因?yàn)?Simcenter Micred T3STER軟件可獲取溫度與時(shí)間的軌跡，并將其轉(zhuǎn)換為所謂的結(jié)構(gòu)函數(shù)。在此圖中可以檢測(cè)到封裝的離散特征（例如芯片貼裝），使Simcenter Micred T3STER成為產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中出色的診斷工具。該圖還可用于校準(zhǔn)Simcenter Flotherm中的詳細(xì)3D熱模型，創(chuàng)建芯片封裝的熱模型預(yù)測(cè)空間和時(shí)間溫度，準(zhǔn)確率高達(dá)99+%。

Simcenter Micred T3STER功能

熱測(cè)試

此系列熱特性分析硬件解決方案賦能部件和系統(tǒng)供應(yīng)商準(zhǔn)確高效地測(cè)試、測(cè)量半導(dǎo)體集成電路封裝、單個(gè)和陣列LED、堆疊和多晶片封裝、動(dòng)力電子模塊、導(dǎo)熱介質(zhì) (TIM)屬性和完整電子系統(tǒng)，并對(duì)熱特性進(jìn)行表征。我們的硬件解決方案可直接連續(xù)實(shí)時(shí)測(cè)量封裝半導(dǎo)體器件的實(shí)際加熱或冷卻曲線，而不是根據(jù)多個(gè)單獨(dú)測(cè)試的結(jié)果人為地將其組合在一起。以這種方式測(cè)量真正的熱瞬態(tài)響應(yīng)更加高效且準(zhǔn)確，因而可獲得比穩(wěn)態(tài)方法更準(zhǔn)確的熱測(cè)量值。每個(gè)樣本只需要進(jìn)行一次測(cè)量，無(wú)需像穩(wěn)態(tài)方法那樣重復(fù)測(cè)量并取平均值。