MY-3051LT單法蘭差壓變送器的關(guān)鍵原材料，元器件和零部件均源自進(jìn)口或合資，整機(jī)經(jīng)過嚴(yán)格組裝和測(cè)試，該產(chǎn)品具有設(shè)計(jì)原理*、品種規(guī)格齊全、安裝使用簡(jiǎn)便等點(diǎn)。由于該機(jī)型外觀上*融合了目前國(guó)內(nèi)z為流行，并被廣泛使用的兩種變送器（羅斯蒙3051與橫河EJA）的結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)，讓使用者有耳目一新的感覺，同時(shí)與傳統(tǒng)的系列產(chǎn)品在安裝上可直接替換，有很強(qiáng)的通用性和替代能力。為適合國(guó)內(nèi)自動(dòng)化水平的不斷提高和發(fā)展，該系列產(chǎn)品除設(shè)計(jì)小巧精致外，更推出具有HART現(xiàn)場(chǎng)總線協(xié)議的智能化功能。    

主要點(diǎn)：
1、除保證高精度外，還實(shí)現(xiàn)了靜壓、溫度等環(huán)境影響小的高性能。
2、可長(zhǎng)期連續(xù)使用的高可靠性。
3、小型、輕量，使其不受安裝場(chǎng)所的限制，可自由安裝。
4、采用微型計(jì)算機(jī)技術(shù)，具有完整的自診斷功能和通訊功能。
5、開發(fā)時(shí)重視零點(diǎn)的穩(wěn)定性，提高了維護(hù)效率。
6、連續(xù)五年不需調(diào)校零點(diǎn)。

單法蘭差壓變送器采用微電子加工技術(shù)（MEMS）在一個(gè)單晶硅芯片表面的中心和邊緣制作 兩個(gè)形狀、尺寸、材質(zhì)**的H形狀的諧振梁，諧振梁在自激振蕩回路中作高頻振蕩（如圖1）。 單晶硅片的上下表面受到的壓力不等時(shí)，將產(chǎn)生形變，導(dǎo)致中心諧振梁 因壓縮力而頻率減小，邊緣諧振因受拉伸力而頻率增加。
兩頻率之差信號(hào)直接送到CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，然后 （1）經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換成4-20mA輸出信號(hào)，通訊時(shí)疊加Brain或Hart數(shù)字信號(hào)； （2）直接輸出符合現(xiàn)場(chǎng)總線（Fieldbus Foundation TM）標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字信號(hào)。 靜壓影響忽略不計(jì)。
當(dāng)加有靜壓（工作壓力）時(shí)，兩形狀、尺寸、材質(zhì)**的諧振梁形變相同， 故頻率變化也*，故偏差自動(dòng)清除（公式和圖類似溫度影響）。
單向過壓性優(yōu)異：
接液膜片與膜盒本體采用*的波紋加工技術(shù)，使外部壓力增大到某一數(shù)值時(shí)， 接液膜片能與本體*接觸，硅油傳遞給傳感器的壓力不再隨外力的增加而增 加，從而達(dá)到對(duì)傳感器的保護(hù)作用。
安裝靈活 使用方便。

可通過計(jì)算機(jī)或手操器對(duì)變送器組態(tài)，也可通過變送器上的量程設(shè)置按鈕和調(diào)零按鈕，進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)調(diào)整。