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單顆粒ICP-MS測定化學-機械整平中使用的元素氧化物納米顆粒懸浮物的特性

檢測樣品:納米元素氧化物納米顆粒

檢測項目:定量和表征納米元素氧化物納米顆粒

方案概述:本研究概述了定量和表征納米元素氧化物納米顆粒(氧化鋁和氧化鈰),這些常用于納米電子學和半導體制造行業(yè)中化學-機械 (CMP)半導體表面的平整。CMP是一個結合了化學和機械外力平滑平面的過程,此步驟為光刻作準備。

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更新時間2021年05月26日

上傳企業(yè)珀金埃爾默企業(yè)管理(上海)有限公司

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本研究概述了定量和表征納米元素氧化物納米顆粒(氧化鋁和氧化鈰),這些常用于納米電子學和半導體制造行業(yè)中化學-機械 (CMP)半導體表面的平整。CMP是一個結合了化學和機械外力平滑平面的過程,此步驟為光刻作準備。

在半導體元器件制造中,CMP過程使用各種元素氧化物懸浮物和壓力,使化學和機械地拋光硅晶片。為降低電子設備尺寸和改善制造過程的產(chǎn)量,現(xiàn)在所使用的CMP懸浮物由納米顆粒組成。
 
CMP懸浮物納米粒子的尺寸分布特征,以及大顆粒的辨別,是光刻過程的質(zhì)量控制的重要方面,可能會影響到硅晶片的質(zhì)量。單顆粒模式ICP-MSSP-ICP-MS)是分析金屬納米粒子的最有前途的技術之一。由于具有測量可溶分析物濃度和單個納米粒子, ICP-MS是一種用于分析半導體工業(yè)領域中各種分析物的理想儀器。
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