都不是。OE750使用先進(jìn)的CMOS檢測(cè)器，CMOS檢測(cè)器是基于半導(dǎo)體的傳感器（與CCD檢測(cè)器的情形相同）。與光電倍增管（PMT）系統(tǒng)相比，基于半導(dǎo)體的系統(tǒng)更具優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠浜w更廣泛的波長(zhǎng)范圍，由此適用于更多元素。雖然PMT技術(shù)可實(shí)現(xiàn)在低靈敏度時(shí)的優(yōu)良檢出限，但每臺(tái)傳感器僅可涵蓋有限的波長(zhǎng)。這意味著您需要在一臺(tái)光譜儀中使用多個(gè)PMT檢測(cè)器以涵蓋更廣泛范圍內(nèi)的元素，而增加額外的性能意味著增加額外的檢測(cè)器，這將導(dǎo)致成本增加，甚至由于此類檢測(cè)器的幾何尺寸太大而無(wú)法將其添加至光學(xué)系統(tǒng)中。

由于CMOS檢測(cè)器具有比標(biāo)準(zhǔn)CCD技術(shù)更高的分辨率和更廣的動(dòng)態(tài)范圍，因此使用CMOS檢測(cè)器可帶來(lái)更好的分析性能——正如在OE750中所見(jiàn)的情形一樣。這意味著在金屬分析中，我們可涵蓋整個(gè)波長(zhǎng)范圍：從119nm到766nm，這包括從氫到鈾的所有元素（取決于應(yīng)用領(lǐng)域和基體）。

簡(jiǎn)而言之，CMOS檢測(cè)器可同時(shí)為您提供這兩種技術(shù)的優(yōu)勢(shì)：您可獲得PMT所提供的極低檢出限和同等靈敏度，以及CCD所提供的全光譜范圍。

就上述所有基體而言，每次激發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)時(shí)間均在15秒以下。以下舉例說(shuō)明：

鋁基體：每次激發(fā)14.5秒。

鋼基體：每次激發(fā)12.5秒。

其他基體：每次激發(fā)11-12秒。

OE750的設(shè)計(jì)支持輪班制工作，即24/7輪班制；同時(shí)，如果我們假設(shè)每件樣品激發(fā)兩次，則每天可完成數(shù)百個(gè)樣品分析。

但是，維護(hù)工作將對(duì)此產(chǎn)生影響。您需要清理火花臺(tái)的頻率取決于基體。如果是鋼基體，我們建議每2000次激發(fā)后清潔一次；如果是鋁基體，我們建議每1000次激發(fā)后清潔一次。這是因?yàn)椴牧系娜埸c(diǎn)越低，在激發(fā)過(guò)程中沉積的材料就越多，由此將縮短清潔的時(shí)間間隔。通過(guò)無(wú)光纖的直接光路，可盡可能減少OE750的維護(hù)工作（以及故障停機(jī)時(shí)間）。但是，如果您需要大量、連續(xù)使用光譜儀，則我們建議我們的服務(wù)團(tuán)隊(duì)每年至少為您提供一次服務(wù)，以清理和維護(hù)您的光譜儀。

這取決于您所開(kāi)展檢測(cè)的次數(shù)；但是如果我們模擬幾種場(chǎng)景，我們可以計(jì)算出一年的氬氣使用量。

氬氣的恒流定量消耗為12 L / h且分析流量為50 L / h。假設(shè)我們正在檢測(cè)鋼，則檢測(cè)時(shí)間為12.5秒。對(duì)于第一種場(chǎng)景，我們假設(shè)每天激發(fā)100次、每年工作200天且系統(tǒng)24小時(shí)處于待機(jī)狀態(tài)。則在此種情況下，您每年需要六瓶50 L/ 200 bar的氬氣。

如果您每天測(cè)量300件樣品，同時(shí)所有其他因素保持不變，則您需要七瓶氬氣。

我們需要說(shuō)明的是，由于OE750使用具備低氬氣流吹掃功能的*中壓系統(tǒng)，因此用于光學(xué)潔凈度的氬氣使用量非常低。這意味著我們可使用無(wú)油隔膜泵，以降低污染物進(jìn)入光室的風(fēng)險(xiǎn)。

因此，當(dāng)您購(gòu)買光譜儀時(shí)，您還應(yīng)考慮運(yùn)營(yíng)成本，原因是運(yùn)營(yíng)成本很容易對(duì)總投資產(chǎn)生重大影響。

這取決于光譜儀的初始狀態(tài)。例如，針對(duì)交付后*安裝的光譜儀，氬氣凈化光室將耗時(shí)12個(gè)小時(shí)。（我們將其稱為運(yùn)行完整的泵循環(huán)）。但是，光譜儀一旦安裝后，您應(yīng)確保您的系統(tǒng)處于待機(jī)模式——這可確保光室始終被氬氣包圍。

但是，現(xiàn)在讓我們看一下可能會(huì)關(guān)閉光譜儀的情況：

周末關(guān)閉光譜儀，但有氬氣流

您需要運(yùn)行泵短循環(huán)（將耗時(shí)15分鐘），并對(duì)激發(fā)樣品進(jìn)行五次檢測(cè)（例如，鐵基中激發(fā)樣品是RE12）。該步驟對(duì)于獲得良好的激發(fā)斑點(diǎn)并使氬氣重新激活至火花臺(tái)而言是必需的。

周末關(guān)閉光譜儀，但沒(méi)有氬氣流

與上一種有氬氣流的情況*一致。但是，我們強(qiáng)烈建議您在每次關(guān)閉光譜儀后使用為該程序提供的檢查樣品樣進(jìn)行潔凈度測(cè)試。您很容易就能完成該檢查，且耗時(shí)不到一分鐘。

假期關(guān)閉光譜儀

在此種情況下，您應(yīng)運(yùn)行12小時(shí)的泵長(zhǎng)循環(huán)，同時(shí)您應(yīng)進(jìn)行潔凈度測(cè)試并檢查激發(fā)樣品以確認(rèn)激發(fā)斑點(diǎn)。

是的，這確實(shí)會(huì)影響分析準(zhǔn)確度。與覆蓋14 mm完整火花臺(tái)孔徑的樣品相比，精確度和準(zhǔn)確度存在細(xì)微偏差。產(chǎn)生這種偏差的原因在于空氣進(jìn)入火花間隙，從而造成干擾。OE750具有*的噴射氣流技術(shù)，該技術(shù)可大程度地降低此類干擾的影響，但是隨著直徑的減小，來(lái)自周圍空氣的干擾的作用更大。

另一個(gè)問(wèn)題是氮和硼是氮化硼墊片本身的一部分，因此無(wú)法分析氮和硼。我們目前正在研發(fā)氮化硼的替代品，以便可以分析氮和硼。但是很遺憾，分析氮?dú)獾膯?wèn)題仍未解決，因?yàn)閺闹車諝庵型ㄟ^(guò)火花臺(tái)間隙而進(jìn)入設(shè)備的氮?dú)夂窟^(guò)多。