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手機(jī)的加速壽命測(cè)試試驗(yàn)方法

樣機(jī)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)量： PR1：10臺(tái)  PR2：12臺(tái)   PR3：12臺(tái)   PIR：12臺(tái)
試驗(yàn)周期：10-12天
室溫下參數(shù)測(cè)試：
1.1溫度沖擊測(cè)試                                  
測(cè)試環(huán)境：低溫箱：-30° C ；高溫箱：+70° C
試驗(yàn)方法：手機(jī)帶電池，設(shè)置成關(guān)機(jī)狀態(tài)先放置于高溫箱內(nèi)持續(xù)45分鐘后，在15秒內(nèi)迅速移入低溫箱并持續(xù)45分鐘后，再15秒內(nèi)迅速回到高溫箱。此為一個(gè)循環(huán)，共循環(huán)27次。實(shí)驗(yàn)結(jié)束后將樣機(jī)從溫度沖擊箱（高溫箱）中取出，恢復(fù)2小時(shí)后進(jìn)行外觀、機(jī)械和電性能檢查。對(duì)于翻蓋手機(jī)，應(yīng)將一半樣品打開(kāi)翻蓋；對(duì)于滑蓋手機(jī)，應(yīng)將一半樣品滑開(kāi)到上限位置。
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：手機(jī)表面噴涂無(wú)異變，結(jié)構(gòu)無(wú)異常，功能正常，可正常。
1.2.跌落試驗(yàn)：
測(cè)試條件：1.5m高度，20mm厚大理石地板。（對(duì)于觸摸屏手機(jī),跌落高度為1.3m）
試驗(yàn)方法：將手機(jī)處于開(kāi)機(jī)狀態(tài)進(jìn)行跌落。對(duì)于直握手機(jī)，進(jìn)行6個(gè)面的自由跌落實(shí)驗(yàn)，每個(gè)面的跌落次數(shù)為1次，每個(gè)面跌落之后進(jìn)行外觀、結(jié)構(gòu)和功能檢查。對(duì)于翻蓋手機(jī)，進(jìn)行8個(gè)面的自由跌落實(shí)驗(yàn)；其中一半樣品合上翻蓋按直握手機(jī)的方法進(jìn)行跌落，另一半樣品在跌正面和背面時(shí)須打開(kāi)翻蓋。跌落結(jié)束后對(duì)外觀、結(jié)構(gòu)和功能進(jìn)行檢查。
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：手機(jī)外觀，結(jié)構(gòu)和功能符合要求。
1.3振動(dòng)試驗(yàn)：
測(cè)試條件：振幅：0.38mm/振頻：10~30Hz；振幅：0.19mm/振頻：30~55Hz；
測(cè)試目的：測(cè)試樣機(jī)抗振性能
試驗(yàn)方法：將手機(jī)開(kāi)機(jī)放入振動(dòng)箱內(nèi)固定夾緊。啟動(dòng)振動(dòng)臺(tái)按X、Y、Z三個(gè)軸向分別振動(dòng)1個(gè)小時(shí)，每個(gè)軸振完之后取出進(jìn)行外觀、結(jié)構(gòu)和功能檢查。三個(gè)軸向振動(dòng)試驗(yàn)結(jié)束后，對(duì)樣機(jī)進(jìn)行參數(shù)測(cè)試。
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：振動(dòng)后手機(jī)內(nèi)存和設(shè)置沒(méi)有丟失現(xiàn)象，手機(jī)外觀，結(jié)構(gòu)和功能符合要求，參數(shù)測(cè)試正常，晃動(dòng)無(wú)異響。
1.4 濕熱試驗(yàn)：
測(cè)試環(huán)境：60° C，95%RH
測(cè)試目的：測(cè)試樣機(jī)耐高溫高濕性能
試驗(yàn)方法：將手機(jī)處于關(guān)機(jī)狀態(tài)，放入溫濕度實(shí)驗(yàn)箱內(nèi)的架子上，持續(xù)60個(gè)小時(shí)之后取出，常溫恢復(fù)2小時(shí)，然后進(jìn)行外觀、結(jié)構(gòu)和功能檢查。對(duì)于翻蓋手機(jī)，應(yīng)將一半樣品合上翻蓋，一半樣品打開(kāi)翻蓋；對(duì)于滑蓋手機(jī)，應(yīng)將一半樣品滑開(kāi)到上限位置。
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：手機(jī)外觀，結(jié)構(gòu)和功能符合要求。
1.5  靜電測(cè)試： 
測(cè)試條件：+/-4kV~+/-8kV，開(kāi)機(jī)并處于充電狀態(tài)，+/-4kV接觸和~+/-8kV空氣放電各10次。具體測(cè)試方法詳見(jiàn)公司測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)細(xì)則。
測(cè)試目的：測(cè)試樣機(jī)抗靜電干擾性能                                          
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：在+/-4Kv 和 +/-8Kv時(shí)出現(xiàn)任何問(wèn)題都要被計(jì)為故障。