目錄:孚光精儀（中國）有限公司>>半導體微電子設(shè)備>>等離子體處理>> FPCTE-Play-ALD等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)
等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)采用*大的腔室和等離子ALD模塊,獲得**的原子層沉積效果。
等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)特點
腔室圓柱形和工程設(shè)計的流型均勻性。
適用于多種不同的基板和沉積材料。
出于安全目的，在分離的區(qū)域進行前體、泵送、捕集和控制。
用戶友*且易于訪問所有組件
等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)
不銹鋼腔室
具有4-8條不同前體（冷和熱）管線的前體進料系統(tǒng)
配備快速氣動閥的前體進料系統(tǒng)。
多段溫度控制：前體、加熱夾套，范圍0-200oC，分辨率1oC腔室，范圍0-300oC，分辨率1oC–腔室的管道入口和出口，范圍0-150oC，分辨率1oC。
基本壓力為10-1/10-3毫巴。
工具尺寸，1000x600x1000mm。
帶觸摸屏的控制系統(tǒng)：
系統(tǒng)狀態(tài)信息：氣體流量、溫度、壓力和閥門。
過程監(jiān)控：壓力和溫度。偏差警報和安全鎖。
配方處理和實時監(jiān)控。
自動蓋和人體工程學設(shè)計。視覺和聲音警報。
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