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更新時(shí)間：2024-09-11 11:23:18
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單點(diǎn)少子壽命測(cè)量?jī)x系統(tǒng)是經(jīng)濟(jì)型晶圓壽命測(cè)量?jī)x器,對(duì)不同制備階段的硅材料電學(xué)參數(shù)進(jìn)行表征。單點(diǎn)少子壽命測(cè)量?jī)x可測(cè)量小于156mm厚度的晶錠,沒有自動(dòng)化配置,手工操作?？稍雠潆娮杪蕼y(cè)試功能,適合硅，晶圓片和晶錠壽命測(cè)量。
| 樣品 | 不同工藝處理樣品，如鈍化或擴(kuò)散后的單晶或多晶硅晶圓、晶錠、電池等 |
| 樣品尺寸 | 50 x 50 mm2 到12“ 或210 x 210 mm2 |
| 電阻率 | 0.2 - 103 Ohm cm |
| 材質(zhì) | 硅晶圓，晶錠，部分或全部加工晶圓，化合物半導(dǎo)體和其它類型 |
| 少子壽命檢測(cè)范圍 | 20ns到幾十ms |
| 尺寸 | 360 x 360 x 520 mm，質(zhì)量：16 kg |
| 電源 | 110/220 V, 50/60 Hz, 3 A |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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