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更新時(shí)間：2025-05-07 21:00:07
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這款硅漂移探測(cè)器(SDD,Silicon Drift Detector)專業(yè)為XRF光譜儀和SEM掃描電鏡EDS能譜儀探測(cè)器應(yīng)用而設(shè)計(jì)，提供窗口材料的選擇，從鈹（8μm）到薄型聚合物（用于輕型X射線透射），并提供10mm2至60mm2的傳感器有源區(qū)域。 此外，所有或我們的SEM SDD版本都是無振動(dòng)的。
硅漂移探測(cè)器在與創(chuàng)新的基于以太網(wǎng)的數(shù)字脈沖處理器相結(jié)合時(shí)得到優(yōu)化。 具體配置給每個(gè)客戶，SDD硅漂移探測(cè)器在廣泛的輸入計(jì)數(shù)率下提供和穩(wěn)定的性能，以產(chǎn)生快速X射線圖。
硅漂移探測(cè)器規(guī)格
| SDD探測(cè)器典型特征 | ||
| 傳感器區(qū)域 | 窗口選項(xiàng) | 分辨率eV（Mn K / C） |
| 10mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤123-133 |
| 30mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤126-133 |
| 60mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤126-133 |
| 100mm2 | 光元件（AP3.3）或8μmBe | ≤128-133 |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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