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實驗內容：

1、半導體激光器泵浦源閾值及I-P特性測量實驗；

2、半導體泵浦固體激光器的功—功轉換效率測量實驗；

3、*腔長選取實驗；

4、*輸出透過率選取實驗；

5、激光倍頻實驗；

6、可飽和吸收晶體被動調Q實驗；

7、調Q脈沖寬度和重復頻率測量實驗。

主要設備參數：

1. 光源組件： TEC溫控半導體激光器組件：LD中心波長808nm，精度±5nm，P>1.7W,TO3 封裝，溫控陶瓷，快軸整形；   溫控電源：工作電流0～2.3A連續(xù)可調， 準直激光器: 650nm，P>1mW，光斑輸出1.5mm 。

2. 探測器組件：   高速脈沖探測器:響應波長400nm～1100nm，10ns響應速度。

3. 激光晶體組件：激光晶體Ф3mm， Nd3+:YAG，S1：AR@808nm&HR@1064nm,S2：AR1064nm；Nd 3+: KTP 通光口徑3mm×3mm，AR@532&1064nm； Cr4+:YAG 通光口徑Ф7mm，AR@532&1064nm。

4. 光學組件： 532nm輸出鏡：Ф20mm，AR@532nm&HR@1064nm； 1064nm輸出鏡：Ф20mm,T=3%,T=8%輸出鏡各一片； 耦合鏡頭：Φ16×40mm； 紅外顯示卡一張。

5. 機械組件： 四維晶體調節(jié)架,中心高50mm,通光孔徑Ф20mm，穩(wěn)定性<2′； 二維腔鏡調整架，中心高50mm，通光孔徑Ф20mm，穩(wěn)定性<2′； 精密光學導軌：L×W=600mm×90mm，配套滑塊。

6. 激光防護鏡組件： 防護波段：1064&532nm；

7. 實驗儀器外殼： 外形尺寸：700mm×400mm×220mm，前開門展開角度180°，上開蓋氣動支桿 連接，展開角度130°，12mm厚鋁制面包板。

8. 講義及快速安裝指南。

選配實驗參數：

1、數字示波器：帶寬100MHz，采樣頻率1GHz；

2、激光功率計，0.19μm-11μm，分辨率10μW，量程0-10W。