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Bi12SiO20晶體基片
  • Bi12SiO20晶體基片

貨物所在地:安徽合肥市

更新時(shí)間:2025-01-08 21:00:04

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Bi12SiO20晶體基片

產(chǎn)品名稱:


硅酸鉍(Bi12SiO20)晶體基片

產(chǎn)品簡介:

硅酸鉍(Bi12SiO20)晶體基片簡稱(BSO)是聲表面波器件、體聲波器件、全息記憶以及電光器件的*材料.


技術(shù)參數(shù):

晶向

<100>,<110>

晶體結(jié)構(gòu)

立方

晶格常數(shù)

a=10.146?

生長方法

提拉法

熔點(diǎn)

930℃

密度

9.2g/cm3

莫氏硬度

4.5 Mohs

介電常數(shù)

εS110 42.7、εT110 47.5

彈性勁度系數(shù)( x1011N/m2)

CE11 1.33、CE44 0.25

壓電應(yīng)變常數(shù) (C/m2 )

e14  1.01

透過范圍 (nm)

470~7500

電光系數(shù) (x10-12m/V )

 r41 5

折射率

 2.45 @ 632.8nm

折射率梯度 (x10-5/cm )

 ≤5 @ 632.8nm

旋光性 (mm-1 )

 左邊20° @632.8nm

 透光性 (%)

 69 @632.8nm


產(chǎn)品規(guī)格:

常規(guī)晶向:<001>、<100>

晶向公差:±0.5°

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm;25x25x0.5mm;

          30x30x0.5mm;50x50x0.5mm;

拋光情況:細(xì)磨、雙拋


注:可以根據(jù)客戶要求提供特殊的尺寸及方向。


標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝

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