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雙電測(cè)四探針測(cè)試儀/四探針測(cè)試儀/四探針檢測(cè)儀/雙電測(cè)四探針測(cè)定儀/雙電測(cè)四探針電阻率測(cè)試儀型號(hào)：GSZ-RTS-9

雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙電測(cè)組合（亦稱(chēng)雙位組合）測(cè)量新,將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因而每次測(cè)量不知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測(cè)量都是對(duì)幾何因素的影響行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。所有這些，用目前大量使用的常規(guī)四探針測(cè)量方法所的儀器是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。
測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀行測(cè)量并實(shí)時(shí)采集兩次組合模式下的測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來(lái)。用戶(hù)可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶(hù)對(duì)數(shù)據(jù)行各種數(shù)據(jù)分析。

　術(shù)　　標(biāo) ：

測(cè)量范圍	電阻率：10^-4～10⁵ Ω.cm（可擴(kuò)展）；方塊電阻：10^-3～10⁶ Ω/□（可擴(kuò)展）；電導(dǎo)率：10^-5～10⁴ s/cm；電阻：10^-4～10⁵ Ω；
可測(cè)晶片厚度	≤3mm
可測(cè)晶片直徑	140mmX150mm 200mmX200mm 400mmX500mm
恒源	電量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ；度：±0.1% ；顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；性、量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本標(biāo)	間距：1±0.01mm；針間緣電阻：≥1000MΩ；機(jī)械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓（總力）；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	（見(jiàn)探頭附帶的合格證）
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差（按JJG508-87行）	0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差	（用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試）≤±4%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度	≤4%
計(jì)算機(jī)通訊接口	并口
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境	溫度：23±2℃；相對(duì)濕度：≤65%；無(wú)頻干擾；無(wú)強(qiáng)光直射；