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QUANTUM量子科學儀器貿易(北京)有限公司

中國科學院固體物理研究所和南昌大學相繼順安裝高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐

時間:2018-6-14閱讀:703

    近日,德國SciDre高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐(HKZ系列)分別在中國科學院固體物理研究所和南昌大學順完成了安裝調試。

   光學浮區(qū)法單晶生長工藝具有無需坩堝、無污染、生長快速、易于實時觀察晶體生長狀態(tài)等諸多點,有于縮短晶體的研究周期并加快難以生長晶體的研究進展,非常適合晶體生長研究,近年來備受關注,現(xiàn)已被廣泛應用于各種超導材料、介電和磁性材料以及其它各種氧化物及金屬間化合物的單晶生長。 

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圖1:現(xiàn)場安裝培訓 

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圖2:現(xiàn)場安裝培訓  

    目前,高熔點、易揮發(fā)性材料的浮區(qū)法單晶生長是大棘手問題,德國SciDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐成功地克服了這技術難題。HKZ可提供高達3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔大壓力可達300bar。HKZ的誕生進步化了光學浮區(qū)法單晶爐的生長工藝條件,使得高熔點、易揮發(fā)性材料的單晶生長成為了可能。

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圖3:德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐

 

德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐技術色:

◆  能夠同時實現(xiàn)大壓力300bar大氣壓(選配)和大溫度>3000℃(選配);

◆  能夠分別立控制不同氣體的流速和流量,能夠實現(xiàn)樣品生長的氣體定速定量混合反應;

◆  在保持燈泡輸出功率恒定的情況下,采用調節(jié)光闌(shutter)的方式對熔區(qū)進行控溫,從而能夠有效延長燈泡使用壽命;

◆  能夠針對不同溫度需求采用不同功率的燈泡,從而對燈泡進行有效用,大化燈泡使用效率和壽命;

◆  擁有豐富的功能選件可進行選擇和拓展,包括熔區(qū)紅外測溫選件、大1×10-5mbar的真空選件、實現(xiàn)氧含量達10-12PPM的氣體除雜選件、對長成的單晶可提供高壓氧環(huán)境退火裝置選件。

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圖4:德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐原理示意圖 

    Quantum Design 團隊在中國科學院固體物理研究所和南昌大學進行的德國SciDre高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐(HKZ系列)的安裝調試工作受到了客戶和制造商的*。我們也祝愿廣大Quantum Design用戶科研順!

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