近日，德國SciDre高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐（HKZ系列）分別在中國科學院固體物理研究所和南昌大學順完成了安裝調試。

   光學浮區(qū)法單晶生長工藝具有無需坩堝、無污染、生長快速、易于實時觀察晶體生長狀態(tài)等諸多點，有于縮短晶體的研究周期并加快難以生長晶體的研究進展，非常適合晶體生長研究，近年來備受關注，現(xiàn)已被廣泛應用于各種超導材料、介電和磁性材料以及其它各種氧化物及金屬間化合物的單晶生長。 

圖1：現(xiàn)場安裝培訓 

圖2：現(xiàn)場安裝培訓  

    目前，高熔點、易揮發(fā)性材料的浮區(qū)法單晶生長是大棘手問題，德國SciDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐成功地克服了這技術難題。HKZ可提供高達3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔大壓力可達300bar。HKZ的誕生進步化了光學浮區(qū)法單晶爐的生長工藝條件，使得高熔點、易揮發(fā)性材料的單晶生長成為了可能。

圖3：德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐

德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐技術色：

◆  能夠同時實現(xiàn)大壓力300bar大氣壓（選配）和大溫度>3000℃（選配）；

◆  能夠分別立控制不同氣體的流速和流量，能夠實現(xiàn)樣品生長的氣體定速定量混合反應；

◆  在保持燈泡輸出功率恒定的情況下，采用調節(jié)光闌（shutter）的方式對熔區(qū)進行控溫，從而能夠有效延長燈泡使用壽命；

◆  能夠針對不同溫度需求采用不同功率的燈泡，從而對燈泡進行有效用，大化燈泡使用效率和壽命；

◆  擁有豐富的功能選件可進行選擇和拓展，包括熔區(qū)紅外測溫選件、大1×10^-5mbar的真空選件、實現(xiàn)氧含量達10-12PPM的氣體除雜選件、對長成的單晶可提供高壓氧環(huán)境退火裝置選件。

圖4：德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐原理示意圖 

    Quantum Design 團隊在中國科學院固體物理研究所和南昌大學進行的德國SciDre高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐（HKZ系列）的安裝調試工作受到了客戶和制造商的*。我們也祝愿廣大Quantum Design用戶科研順！