磁隨機(jī)存儲(chǔ)器（Magnetic random access memory，MRAM）是種用讀取磁阻大小為原理的新型非易失性（Non-Volatile）隨機(jī)存儲(chǔ)器，與其他存儲(chǔ)技術(shù)相比，MRAM在速度、面積、寫入次數(shù)和功耗方面能夠達(dá)到較好的折中，被業(yè)界認(rèn)為是構(gòu)建下代非易失性緩存和主存的潛在存取器件之。因此，近些年來MRAM引起了不少科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)的關(guān)注，相應(yīng)的測(cè)試設(shè)備需求也隨之增加，而Hprobe公司生產(chǎn)的IBEX-300晶圓超快三維磁場(chǎng)探針臺(tái)為個(gè)不錯(cuò)的選擇。

IBEX-300晶圓超快三維磁場(chǎng)探針臺(tái)

    與傳統(tǒng)的探針臺(tái)相比，IBEX-300是門用于晶圓片在磁場(chǎng)下的表征和測(cè)試的儀器。它基于三維磁場(chǎng)發(fā)生裝置來進(jìn)行超快的磁阻測(cè)試，整個(gè)測(cè)試過程全自動(dòng)完成，可以根據(jù)用戶的測(cè)試需要來自定義測(cè)試程序，為磁性器件（傳感器和存儲(chǔ)器）的開發(fā)、工藝和生產(chǎn)帶來了完整的測(cè)試解決方案。

主要應(yīng)用方向：

• 磁性隧道結(jié)
• 磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
• 集成磁傳感器(Hall, GMR, TMR)
• 智能傳感器 

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主要測(cè)試模式：

• 開路/短路 測(cè)試
• AC/DC I-V, R-V 測(cè)試
• AC/DC 擊穿電壓測(cè)試
• 讀/寫脈沖測(cè)試
• R-H 角度/幅值 回線測(cè)試
• 誤碼率測(cè)試
• 器件循環(huán)和穩(wěn)定性測(cè)試

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三維磁場(chǎng)發(fā)生裝置

超快磁場(chǎng)掃描 

    三維磁場(chǎng)發(fā)生裝置可以實(shí)現(xiàn)各磁場(chǎng)空間軸的立驅(qū)動(dòng)，也可以控制磁場(chǎng)在任意空間方向，以及產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)等。磁場(chǎng)的掃描采樣速率可由靜態(tài)磁場(chǎng)控制到幅值超過10,000步/秒。

測(cè)試程序界面

良率測(cè)試結(jié)果示意圖

    目前Hprobe公司已經(jīng)向多個(gè)半導(dǎo)體工廠交付了IBEX-300三維磁場(chǎng)探針臺(tái)，同時(shí)面向客戶開放部分樣品測(cè)試。