[報告簡介]

法國Spin-Ion Technologies公司（中文注冊名——旋離科技®）開發(fā)了種非常有色的樣品處理技術——對已制備的器件進行He⁺離子輻照，該技術可以在原子尺度上調控并提升磁性薄膜的磁性能。運用輕離子技術，通過低能量轉移，可實現(xiàn)原子間替換的精確控制。其核心是改變微觀結構來調控相應的磁學性質。該技術也可以在不需要物理刻蝕的條件下，通過掩模實現(xiàn)磁性的橫向調制。在本次報告中，將會展示些重要的研究成果，這些成果為用離子輻射來化下代自旋電子器件的性能提供了解決方案，包括精確控制界面各向異性、磁化、DMI、增強疇壁和斯格明子移動，降低SOT器件的臨界電流和降低自旋轉矩納米振蕩器（STNO）的線寬。

報告將展示新的尖·端設備“Helium-S^®" 是如何實施上述的技術方案，這是臺體型小巧且快速的He⁺離子束工具，它能夠在1英寸的晶片上提供1-30 keV的離子能量。

[直播入口]

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[報告時間]

2022 年 6月 9 日 15:30—16:30 

[主講人介紹]

Dafiné Ravelosona博士，致力于實驗凝聚態(tài)物理的研究，目前是法國國家科學研究中心(CNRS)的研發(fā)總監(jiān)，在巴黎薩克雷大學的“法國巴黎納米科學與技術中心(C2N)"擔任副總監(jiān)并負責管理納米電子學部門。他在具有垂直各向異性的磁性薄膜和器件中的疇壁動力學和自旋輸運方面，以及使用離子輻照的磁性材料加工和自旋電子器件方面擁有超過20年的研究經(jīng)驗。同時，他也是兩家初創(chuàng)公司的創(chuàng)始人，包括2017年成立的Spin-Ion Technologies公司（中文注冊名——旋離科技^®），他擔任CEO-CTO，該公司正在研發(fā)種基于離子束的新型加工工藝，用以提高MRAM材料的結構性能。在這些年間，Dafiné Ravelosona博士共獲得了大約10個創(chuàng)新獎項。 

Dafiné Ravelosona博士于1995年在巴黎第七大學獲得博士學位。在2004至2005年間，他受邀成為硅谷的日立環(huán)球存儲科技公司（HGST）研究中心的科學家。期間，他個展示了用化電流切換垂直納米磁體這技術。

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