請(qǐng)輸入產(chǎn)品關(guān)鍵字:
郵編:200002
聯(lián)系人:程經(jīng)理
電話:13282999420
傳真:
手機(jī):
留言:發(fā)送留言
個(gè)性化:www.mtgysh.com
網(wǎng)址:www.btgysh.com/
商鋪:http://m.duoo135.com/st178044/
電源設(shè)計(jì)中IFM易福門電流傳感器選擇
點(diǎn)擊次數(shù):1952 發(fā)布時(shí)間:2011-8-4
交流電流傳感器常用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。傳統(tǒng)的交流電流傳感器設(shè)計(jì)折中重點(diǎn)圍繞著選擇“zui簡(jiǎn)捷的設(shè)計(jì)方法”。但是,本文所描述的交流電流傳感器以巧妙的方法應(yīng)用了基本技術(shù),zui終形成的傳感器性能超出了設(shè)計(jì)者的預(yù)期。 常見(jiàn)的控制方案,像電流模式控制和峰值電流限制,在沒(méi)有傳統(tǒng)交流電流傳感器提供實(shí)時(shí)信息的條件下是不可能實(shí)現(xiàn)的。設(shè)計(jì)師通常使用變壓器、運(yùn)算放大器和無(wú)源分立元件來(lái)實(shí)現(xiàn)這些傳感器,盡管市場(chǎng)上有許多單芯片解決方案。他們堅(jiān)持使用分立電路設(shè)計(jì)方案有許多原因,包括成本和/或性能,同時(shí)也在期待有更好的單芯片交流電流傳感器方案出現(xiàn)。不過(guò)迄今為止,他們看到的還只是在已有老技術(shù)上的少量改進(jìn)。 對(duì)于一個(gè)成本壓力很大的電源系統(tǒng)來(lái)說(shuō),設(shè)計(jì)師的需求一覽表中首先是成本,所以交流電流傳感器的安裝成本必須具有吸引力(安裝成本指的是傳感器自身成本再加上外圍元器件成本,以及額外的制造成本,比如校準(zhǔn)等)。第二項(xiàng)是通過(guò)將電流檢測(cè)通道上的功率損耗降到zui小來(lái)提率的低阻值有效串行電阻(ESR),這在負(fù)載點(diǎn)(POL)調(diào)節(jié)器這類大電流設(shè)備中尤其重要,因?yàn)槊吭黾右粋€(gè)毫歐的ESR都會(huì)引起高達(dá)1%的效率下降。在成本和效率之外,還要求體積小,這對(duì)于安裝到電路板上的電源模塊來(lái)說(shuō)是一個(gè)關(guān)鍵要求。其他方面的考慮還包括高精度(可以簡(jiǎn)化或省去系統(tǒng)內(nèi)部校準(zhǔn))、足夠高的隔離電壓(在AC/DC轉(zhuǎn)換器中這是一個(gè)重要考慮因素),還有就是用于高頻系統(tǒng)應(yīng)用的寬工作帶寬。 電源設(shè)計(jì)中IFM易福門電流傳感器選擇 傳感器種類 可用的電流檢測(cè)解決方案可以被分為兩大類:即單芯片方案和分立電路方案,如表1所示。
![]() 表1:相關(guān)交流電流傳感器比較一覽表。 面對(duì)這些含糊不清的技術(shù)分類,設(shè)計(jì)師必須嚴(yán)格地區(qū)分電流傳感器的好壞,然后選擇能夠達(dá)到目標(biāo)的*方案。盡管有足夠多的交流電流檢測(cè)解決方案涌現(xiàn),但許多設(shè)計(jì)還不是*方案,需要進(jìn)一步優(yōu)化,至少目前為止是這樣。 的新方案 圖1所示的單向電流傳感器是一個(gè)*的、低成本、率、體積小的交流電流傳感器,并且還具有許多其他優(yōu)點(diǎn)。
圖1中,傳感器由一個(gè)金屬嵌片和封裝在一個(gè)小型(4x4x1mm)QFN封裝中的硅裸片組成。嵌片和片上精選線圈一起構(gòu)成一個(gè)耦合電感器,因此流經(jīng)嵌片的交流電流感應(yīng)出的電壓等于電流的一階導(dǎo)數(shù)(即v=Lm di/dt)。然后片上的信號(hào)處理電路執(zhí)行一個(gè)有限積分運(yùn)算,產(chǎn)生一個(gè)與流經(jīng)嵌片的電流成正比的實(shí)時(shí)信號(hào)。該信號(hào)再經(jīng)過(guò)片上的溫度補(bǔ)償器和增益級(jí)電路進(jìn)一步調(diào)整。zui后的結(jié)果是一個(gè)滿刻度為2V、噪聲非常低的溫補(bǔ)電流信號(hào)。 這種令人迷惑的簡(jiǎn)單架構(gòu)卻能提供許多傳統(tǒng)電流檢測(cè)技術(shù)無(wú)法提供的優(yōu)點(diǎn)。例如,通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理技術(shù)和半導(dǎo)體封裝實(shí)現(xiàn)了極低的成本,這兩種技術(shù)使得該架構(gòu)的成本可能比CT的安裝成本還有競(jìng)爭(zhēng)力,而且還有更高可靠性和更小體積等附加優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了較低的損耗,這是因?yàn)榍镀陔娏鳈z測(cè)通道中僅僅增加了1.3mΩ的串聯(lián)電阻和2nH的串聯(lián)電感。還有一個(gè)附加的優(yōu)點(diǎn),就是通過(guò)對(duì)積分操作進(jìn)行平均,將輸出噪聲減到了zui小,從而節(jié)省了外部RC濾波器的成本和空間。它甚至還能抑制變壓器耦合設(shè)計(jì)中的邊沿噪聲,從而無(wú)需邊沿消隱。圖2和圖3分別通過(guò)將未濾波的輸出比作(在低值傳感電阻上使用差分探頭)測(cè)得的電流和CT電路(CT、二極管和RC濾波器)來(lái)展示了低噪聲原理。在兩種情況下,交流電流傳感器都幾乎沒(méi)有噪聲。
圖3:Si85xx輸出與CT輸出的關(guān)系。 如何實(shí)現(xiàn)這一新技術(shù) 使用這種電流傳感器的方法非常簡(jiǎn)單。連接傳感器使得電流從IIN流到IOUT端。反向電流(即從IOUT流到IIN的電流)將導(dǎo)致零輸出,因此不會(huì)損壞器件。 上面提及的有限積分要求在每個(gè)電流測(cè)量周期之前將積分器復(fù)位。實(shí)現(xiàn)的方法是將現(xiàn)有的門控信號(hào)連接到復(fù)位輸入端(R1–R4)。積分器復(fù)位的標(biāo)準(zhǔn)很簡(jiǎn)單:在電流測(cè)量后復(fù)位必須立即開(kāi)始,而在下一次測(cè)量前必須結(jié)束。對(duì)于額定的精度,復(fù)位事件zui少要持續(xù)250nS。 片上積分器復(fù)位邏輯具有足夠的靈活度,允許這種電流傳感器能夠與任意的電源系統(tǒng)拓?fù)湟黄鹗褂?。圖4所示的是用于單輸出Si850x的復(fù)位電路。這些器件通??梢杂糜诓淮嬖谧儔浩鞔磐ㄆ胶饪刂茊?wèn)題的相對(duì)簡(jiǎn)單一些的應(yīng)用(如降壓和升壓電路)中。
如圖4所示,當(dāng)TRST輸入被連接到VDD時(shí),積分器復(fù)位可以受R1和R2上的信號(hào)的實(shí)時(shí)控制。為了滿足高頻或/和高占空比應(yīng)用,可以將TRST通過(guò)定時(shí)電阻RTRST連接到地來(lái)縮短復(fù)位時(shí)間。在這種情況下,復(fù)位的啟動(dòng)由R1和R2觸發(fā),持續(xù)時(shí)間則由RTRST決定。在較高速度的操作時(shí),允許用戶對(duì)傳感器精度進(jìn)行調(diào)整。 這意味著這些產(chǎn)品適用于更復(fù)雜的拓?fù)浼軜?gòu),例如控制或監(jiān)視變壓器磁通平衡非常重要的全橋應(yīng)用。這種復(fù)雜的復(fù)位邏輯(圖5)是圖4所示電路的一個(gè)超集。 圖5:Si851x復(fù)位邏輯。 正如圖中所示的那樣,有三種復(fù)位算法可以選擇:即XOR、XNOR或AND/OR,選擇依據(jù)則取決于MODE狀態(tài)和R4輸入。需要重申的是,復(fù)位事件可以由復(fù)位輸入單獨(dú)決定,或由復(fù)位輸入進(jìn)行觸發(fā),并由前面所述的RTRST來(lái)定時(shí)??傊?,RESET1適用于升壓、隔離式和非隔離式降壓以及其他相對(duì)簡(jiǎn)單的拓?fù)?,RESET2一般用于推拉應(yīng)用,而RESET3適合全橋應(yīng)用。 應(yīng)用實(shí)例 圖6所示的是前面提到的用于簡(jiǎn)單同步降壓轉(zhuǎn)換器的電流傳感器,當(dāng)Q1接通時(shí)對(duì)電流進(jìn)行測(cè)量。同步FFT(Q2)出來(lái)的門控信號(hào)用于積分器復(fù)位,因?yàn)橐_保復(fù)位事件不與電流測(cè)量周期相重疊。 圖6:同步降壓轉(zhuǎn)換器中的Si850x。 還需注意,復(fù)位輸入R2應(yīng)接地,這樣當(dāng)R1為高阻時(shí),能夠使(XOR)門(圖4)的輸出觸發(fā)復(fù)位啟動(dòng)。定時(shí)電阻RTRST用于設(shè)定圖6時(shí)序圖所示的復(fù)位事件周期(tR)。 AtlLQkVCi--http://www.cn-pe.cnD"YV%]a 復(fù)位信號(hào)來(lái)自驅(qū)動(dòng)器輸入,因?yàn)樵黾拥尿?qū)動(dòng)器和晶體管時(shí)延能夠提供額外的時(shí)序余量。但是在帶有集成驅(qū)動(dòng)器的控制器中是無(wú)法訪問(wèn)驅(qū)動(dòng)器輸入信號(hào)的,故必須用驅(qū)動(dòng)器輸出信號(hào)來(lái)復(fù)位。在這種情況下,復(fù)位輸入端通常需要一個(gè)分壓器將驅(qū)動(dòng)器輸出的擺幅限制到Si85xx VDD范圍內(nèi)。 圖7所示是一個(gè)相移調(diào)制的全橋應(yīng)用,使用了一個(gè)工作在乒乓模式的電流傳感器。乒乓模式能使一個(gè)單電流傳感器代替兩個(gè)CT(通常用來(lái)監(jiān)視變壓器磁通平衡)。乒乓輸出模式將橋的各臂上的電流信號(hào)送到分開(kāi)的各個(gè)輸出端。 圖7:相移全橋應(yīng)用中的Si851x(乒乓模式)。
擴(kuò)展?jié)M刻度范圍 許多應(yīng)用要求大于20A的滿刻度范圍,這可以利用一個(gè)簡(jiǎn)單的電路板版圖技巧來(lái)實(shí)現(xiàn)(圖8)。 左圖為安裝在電路板上的電流傳感器的“x射線圖”。這是一種標(biāo)準(zhǔn)的安裝方法,在載流導(dǎo)體中有一間隙,該間隙通過(guò)電流傳感器中的金屬嵌片橋接起來(lái),從而允許全部被測(cè)電流流過(guò)嵌片。右圖中增加了一個(gè)與嵌片平行的小電流旁路線,它們構(gòu)成一個(gè)分流器,旁路線的寬度和厚度則決定了分流比。例如,一個(gè)1mm寬的旁路線能將從嵌片上分流足夠的電流,使Si85xx的滿刻度增加1.8倍,達(dá)到36A。
本文小結(jié) 交流電流傳感器常用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。傳統(tǒng)的交流電流傳感器設(shè)計(jì)折中重點(diǎn)圍繞著選擇“zui簡(jiǎn)捷的設(shè)計(jì)方法”。但是,本文所描述的交流電流傳感器以巧妙的方法應(yīng)用了基本技術(shù),zui終形成的傳感器性能超出了設(shè)計(jì)者的預(yù)期。它具有很多重要的優(yōu)點(diǎn):性價(jià)比高,損耗低,體積小,帶寬寬,精度高,還提高了系統(tǒng)集成度(特別是在全橋應(yīng)用中),并且噪聲低,靈活度高,能夠應(yīng)用于50kHz到1.2MHz的開(kāi)關(guān)模式系統(tǒng)。它將是21世紀(jì)電源應(yīng)用中*的交流電流傳感器解決方案……它還將是zui通用的電流傳感器! |