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泰克串行技術DDR 測試、驗證和調(diào)試

時間：2015-9-10閱讀：2558
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泰克串行技術DDR 測試、驗證和調(diào)試



DDR 內(nèi)存接口

Memory

內(nèi)存技術繼續(xù)發(fā)展以滿足應用要求。新一代技術如 DDR4 和 LPDDR3 采用更高速率來提升性能、更低的 I/O 電壓來降低功耗，并支持多種外部形狀以滿足不同應用需求。

這些因素帶來調(diào)試和驗證挑戰(zhàn)，因為需要進行大量更加復雜的新測試來驗證和調(diào)試設備以更緊湊的裕量、更快的邊沿速率和復雜的總線協(xié)議工作。

泰克提供zui完整的全套工具進行內(nèi)存驗證和調(diào)試。有關我們當前電氣和邏輯驗證解決方案的詳情，敬請訪問以下應用頁面：

  • DDR 電氣驗證：
    捕捉、測量和鑒定 DDR 內(nèi)存接口信號行為、抖動、眼圖大小、串擾、選通/時鐘對準、誤碼。
  • DDR 邏輯驗證：
    捕獲和測量 DDR 內(nèi)存接口的數(shù)字邏輯狀態(tài)，執(zhí)行總線周期的定時和協(xié)議分析。

     

  • DDR 協(xié)議性能驗證：
    捕獲和分析總線命令、控制時基系列、將結(jié)果與內(nèi)存接口規(guī)范比對，并分析作為總線利用率和性能指標的總線流量。

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