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上海添時科學儀器有限公司

薄膜沉積設(shè)備解析——PECVD設(shè)備的原理和應(yīng)用

時間:2023-2-28 閱讀:2993
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薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備。

從半導體芯片制作工藝流程來說,位于前道工藝中。



薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類:物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD),其中CVD工藝設(shè)備占比更高。

物理氣相沉積(PVD)指將材料源表面氣化并通過低壓氣體/等離子體在基體表面沉積,包括蒸發(fā)、濺射、離子束等;

化學氣相沉積(CVD)是指通過氣體混合的化學反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工藝,根據(jù)反應(yīng)條件(壓強、前驅(qū)體)的不同又分為常壓CVD(APCVD)、低壓CVD(LPCVD)、等離子體增強CVD(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)和原子層沉積(ALD)。




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