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目錄:愛發(fā)科費恩斯(南京)儀器有限公司>>質(zhì)譜儀>>二次離子質(zhì)譜儀>> PHI ADEPT 1010動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀

動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀
  • 動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 PHI ADEPT 1010
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

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更新時間:2022-03-07 17:24:34瀏覽次數(shù):2441評價

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動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀(D-SIMS)是使用一次離子束(通常是Cs源)轟擊樣品表面,而產(chǎn)生二次離子,然后用質(zhì)譜分析儀分析二次離子的質(zhì)荷比(m/q),從而得知元素在樣品中的深度分布,是分析半導(dǎo)體摻雜和離子注入的強有力的工具。

優(yōu)勢

ULVAC-PHI 最新設(shè)計的四極桿-二次離子質(zhì)譜儀ADPT1010,在原有的PHI6300和PHI6600的基礎(chǔ)上,改善了離子光學(xué)系統(tǒng),是在一次離子能量低至250eV時,仍保持有效的濺射束流的動態(tài)二次離子質(zhì)譜系統(tǒng)(D-SIMS)。

 

特點

  1. 大束流低能量離子槍設(shè)計,極大的提高了深度分辨率

  2. 高性能離子光學(xué)系統(tǒng),改善了二次離子傳輸效率,在提高分析效率的同時又提高了檢測靈敏度

  3. 高精度全自動5軸樣品操控臺

  4. 不同方向進入檢測器的二次離子,均可被高靈敏地收集檢測

 

應(yīng)用實例分析

采用一次離子源Cs在加速5kV束流為100nA的條件下,分析GaAs中注入的H,C,O元素??梢钥吹紿檢測限值7.1X1016 atm/cm3,O檢測限值4.4X1015 atm/cm3,C檢測限值2.0X1015 atm/cm3。

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