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射頻磁控濺射鍍膜裝置 型號:ZH5493 中慧

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號ZH5493

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廠商性質(zhì)其他

所在地北京市

更新時(shí)間:2024-12-01 13:51:47瀏覽次數(shù):483次

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主要由濺射鍍膜室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)、射頻電源等部分組成。由于磁控濺射能夠地控制參數(shù)和提高膜層附著力、密度及均勻性,已成為沉積薄膜的重要方法,射頻磁控濺射具有沉積速率高,可以濺射材料,包括導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)材料等特點(diǎn)。
射頻磁控濺射鍍膜裝置 
型號:ZH5493
貨號:ZH5493
產(chǎn)
  主要由濺射鍍膜室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)、射頻電源等部分組成。由于磁控濺射能夠地控制參數(shù)和提高膜層附著力、密度及均勻性,已成為沉積薄膜的重要方法,射頻磁控濺射具有沉積速率高,可以濺射材料,包括導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)材料等特點(diǎn)。由于在低氣壓下濺射,因此膜層致密、針孔少、度高。
可開設(shè)的實(shí)驗(yàn)
1、掌握射頻磁控濺射法制膜的基本原理;
2、了解磁控濺射鍍膜儀的操作過程及使用范圍;
3、磁控濺射法制備金屬膜、半導(dǎo)體膜、化合物膜、介質(zhì)膜等薄膜。
主要參數(shù)
1、濺射鍍膜室:由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成;尺寸:Φ220×H230mm3; 
2、濺射鍍膜室本底真空:≤1Pa;濺射腔限真空:6×10-1Pa;
3、濺射靶:Φ50mm,濺射靶臺和濺射靶可調(diào)距離:20~60mm;
4、基片加熱溫度可控范圍:室溫~300℃;
5、射頻源功率:500W,13.56MHz; 
6、氣路系統(tǒng):由兩路轉(zhuǎn)子流量計(jì)控制(可選配流量計(jì));
7、真空系統(tǒng):2XZ-4型旋片真空泵,抽氣速率:4L/S,單相220V交流電源供電;
8、對過流過壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警,并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施;
9、供電電源:AC220V,50Hz,整機(jī)功率2KW。

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測量范圍:0- -50℃(%)$r$n格 值:1℃(%)$r$n

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