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北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司

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模擬靜電場描繪儀使用說明

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模擬靜電場描繪儀使用說明

GVZ-4型主要技術(shù)參數(shù):
1. GVZ-4型為箱體和電源分離式,單筆測試,內(nèi)置四種電**
(同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形)。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規(guī)格為1mm. 
4.微晶導電層的均勻性,實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓,調(diào)節(jié)細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬次,膜層電阻阻值變化0.3%,對導電微晶無磨損。

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