1900nm波長(zhǎng)，30mW高功率，PA9T SMD封裝的Roithner發(fā)光二極管

2023年末，奧地利Roithner公司正式推出了1900nm的紅外高功率LED，型號(hào)SMB1N-1900D和SMB1N-1900D-02。Roithner 高功率發(fā)光二極管 繼承了Roithner發(fā)光二極管SMB1N系列的高功率、砷化鎵芯片技術(shù)以及采用耐熱聚酰胺 (PA9T) SMD封裝，底座尺寸均為5x5mm。

SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面貼裝高功率紅外高功率LED，典型峰值波長(zhǎng)為1900nm，光輸出功率為27mW@1A。Roithner 高功率發(fā)光二極管采用聚酰胺樹(shù)脂 SMD 封裝 (PA9T)，帶有鍍銀焊盤(pán)（可無(wú)鉛焊接）、銅散熱器和硅樹(shù)脂模壓平窗。SMB1N-1900D-02的光輸出功率為30mW@1A。1900nm高功率LED SMB1N-1900D-02不僅采用聚酰胺樹(shù)脂SMD封裝(PA9T)，帶有鍍銀焊盤(pán)（可無(wú)鉛焊接）、銅散熱器和硅樹(shù)脂模制透鏡，還可根據(jù)要求提供不同光束角度的其他變體。Roithner紅外發(fā)光二極管，PA9T SMD封裝

Roithner LED SMB1N-1900D與SMB1N-1900D-02的最大區(qū)別是SMB1N-1900D-02含有透鏡，從而導(dǎo)致其光束角為±9°，而SMB1N-1900D的光束角為±64°。

Roithner 1900nm LED的主要特點(diǎn)：

-紅外高功率LED

-特定波長(zhǎng)1900nm，光輸出功率27mW（SMB1N-1900D）或30mW（SMB1N-1900D-02）

-砷化鎵芯片（InGaAs chip），1x1mm

  - PA9T SMD 封裝

  -光束角±64°（SMB1N-1900D）或±9°（SMB1N-1900D-02）

1900nmLED發(fā)光二極管的最大額定值*：          

*接近或超過(guò)這些參數(shù)的操作可能會(huì)損壞設(shè)備

    **占空比=1%，脈沖寬度=10μs

1900nm高功率LED電子光學(xué)特性（T_CASE = 25°C）：

Roithner紅外發(fā)光二極管，PA9T SMD封裝